[發(fā)明專利]一種GaN功率器件輸出特性的測試電路及控制方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910358226.1
• 申請日: 2019-04-30
• 公開（公告）號: CN111948505A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發(fā)明（設計）人: 王蓓蓓;欒洪洲;朱寧輝;張良;王軒;董亮;燕翚;劉道民;張彬
• 申請（專利權）人: 中電普瑞科技有限公司;南瑞集團有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京安博達知識產權代理有限公司 11271
• 代理人: 徐國文

1.一種GaN功率器件輸出特性的測試電路，其特征在于，所述電路包括：

隔離驅動芯片、GaN功率開關器件VT1、第一RC吸收保護電路、電感L、驅動磁珠F_ZB、電阻R、待測GaN功率開關器件VT2、第二RC吸收保護電路、直流電源Vd和高隔離電源；

所述隔離驅動芯片的副邊供電端和所述高隔離電源的正向電壓輸出端連接；所述隔離驅動芯片的副邊接地端和所述高隔離電源的負向電壓輸出端連接；所述高隔離電源的接地端和所述待測GaN功率開關器件VT2的源極連接；

所述隔離驅動芯片的輸出端和所述驅動磁珠F_ZB的一端連接；所述驅動磁珠F_ZB的另一端分別和所述待測GaN功率開關器件VT2的門極、所述電阻R的一端連接；所述電阻R的另一端和所述待測GaN功率開關器件VT2的源極連接；所述待測GaN功率開關器件VT2和所述第二RC吸收保護電路并聯(lián)；

所述GaN功率開關器件VT1的門極和其源極連接；所述GaN功率開關器件VT1分別和所述第一RC吸收保護電路、電感L并聯(lián)；

所述GaN功率開關器件VT1的源極和所述待測GaN功率開關器件VT2的漏極連接；

所述第一RC吸收保護電路和所述第二RC吸收保護電路串聯(lián)；

所述直流電源Vd的正極和所述GaN功率開關器件VT1的漏極連接；所述直流電源Vd的負極和所述待測GaN功率開關器件VT2的源極連接。

2.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述高隔離電源包括：

輸入電源、Boost升壓電路、推挽電路、正壓調節(jié)電路和負壓調節(jié)電路；

所述輸入電源、Boost升壓電路、推挽電路依次連接；所述正壓調節(jié)電路與所述推挽電路的一個輸出端連接，所述負壓調節(jié)電路與所述推挽電路的另一個輸出端連接；

所述Boost升壓電路，用于將輸入電源輸入的電壓升高至50V，并為所述推挽電路提供50V的輸入電壓；

所述推挽電路，用于將所述Boost升壓電路輸出的50V電壓轉換成正壓輸出和負壓輸出；

所述正壓調節(jié)電路，用于將所述推挽電路輸出的正壓輸出調節(jié)為范圍在5V～20V內的正向電壓；

所述負壓調節(jié)電路，用于將所述推挽電路輸出的負壓輸出調節(jié)為范圍在-0.1V～-5V內的負向電壓。

3.如權利要求2所述的電路，其特征在于，所述輸入電源的電壓范圍為10V～30V。

4.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述隔離驅動芯片采用SI8230驅動芯片。

5.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述第一RC吸收保護電路包括：

第一電阻R1和與所述第一電阻串聯(lián)的第一電容C1。

6.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述第二RC吸收保護電路包括：

第二電阻R2和與所述第二電阻串聯(lián)的第二電容C2。

7.一種如權利要求1-6任一項所述測試電路的控制方法，其特征在于，所述方法包括：

向所述隔離驅動芯片的輸入端輸入控制所述待測GaN功率開關器件VT2的驅動脈沖信號，并調節(jié)所述高隔離電源輸輸出的正向電壓為預設正向驅動電壓，輸出的負向電壓為預設負向驅動電壓；

當所述控制所述待測GaN功率開關器件VT2的驅動脈沖信號為正時，獲取所述預設正向驅動電壓下待測GaN功率開關器件VT2漏源兩端電壓和漏極電流；

當所述控制所述待測GaN功率開關器件VT2的驅動脈沖信號為負時，獲取所述預設負向驅動電壓下待測GaN功率開關器件VT2漏源兩端電壓和漏極電流。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述預設正向驅動電壓的電壓范圍為5V～20V；所述預設負向驅動電壓的電壓范圍為-0.1V～-5V。