[發明專利]智能功率模塊和空調器

在審

• 申請號: 201910356456.4
• 申請日: 2019-04-29
• 公開（公告）號: CN110061632A
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 李媛媛;馮宇翔
• 申請（專利權）人: 廣東美的制冷設備有限公司;美的集團股份有限公司
• 主分類號: H02M7/00
• 分類號: H02M7/00
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張潤

1.一種智能功率模塊，其特征在于，包括：

基板；

設置在所述基板之上的控制芯片；

設置在所述基板之上的功率因數校正PFC電路，所述功率因數校正PFC電路包括GaNHEMT管和PFC二極管，其中，所述PFC二極管的陰極與所述基板上的高壓輸入端相連，所述GaN HEMT管的漏極與所述PFC二極管的陽極相連，所述GaN HEMT管的漏極還與所述基板上的PFC電感連接端相連，所述GaN HEMT管的源極與所述基板上的PFC負端相連；

設置在所述基板之上的逆變電路，所述逆變電路與所述PFC二極管的陰極相連，所述逆變電路還與所述控制芯片相連。

2.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，所述功率因數校正PFC電路還包括第三電容，所述第三電容的一端與所述GaN HEMT管的漏極和所述基板上的PFC電感連接端均相連，所述第三電容的另一端與所述GaN HEMT管的源極和所述基板上的PFC負端均相連。

3.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，所述逆變電路包括三組逆變模塊，每組逆變模塊包括第一IGBT管、第二IGBT管、與所述第一IGBT管并聯的第一快恢復二極管以及與所述第二IGBT管并聯的第二快恢復二極管，其中，所述第一IGBT管的集電極與所述基板上的高壓輸入端相連，所述第一IGBT管的發射極與所述第二IGBT管的集電極相連，所述第二IGBT管的發射極與所述基板上的低電壓參考端相連，所述第一IGBT管的柵極通過第一電阻與所述控制芯片相連，所述第二IGBT管的柵極通過第二電阻與所述控制芯片相連。

4.根據權利要求3所述的智能功率模塊，其特征在于，所述每組逆變模塊還包括：

第一電容，所述第一電容的一端與所述控制芯片的第一電平端相連并作為所述基板上的高壓區供電電源正端，所述第一電容的另一端與所述第一IGBT管的發射極和所述第二IGBT管的集電極均相連，所述第一電容的另一端還與所述控制芯片的第二電平端相連并作為所述基板上的高壓區供電電源負端。

5.根據權利要求4所述的智能功率模塊，其特征在于，所述控制芯片的供電電源端通過二極管連接所述控制芯片的第一電平端，其中，所述二極管的陽極與所述控制芯片的供電電源端相連，所述二極管的陰極與所述控制芯片的第一電平端相連。

6.根據權利要求5所述的智能功率模塊，其特征在于，其中，所述控制芯片的供電電源端用于連接外部電源。

7.根據權利要求4所述的智能功率模塊，其特征在于，所述控制芯片還與空調控制器相連，所述控制芯片還根據所述空調控制器產生的逆變控制信號生成逆變驅動信號，以驅動所述每組逆變模塊中的第一IGBT管和第二IGBT管。

8.根據權利要求7所述的智能功率模塊，其特征在于，所述控制芯片還根據所述空調控制器產生的PFC控制信號生成PFC驅動信號，以驅動所述功率因數校正PFC電路中的GaNHEMT管。

9.一種空調器，其特征在于，包括如權利要求1-8任一項所述的智能功率模塊。