[發(fā)明專利]一種F4BM型移動通信用高頻高速覆銅板及其制備工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910353923.8 | 申請日: | 2019-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN110077054A | 公開(公告)日: | 2019-08-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱德明;王剛;沈振春 | 申請(專利權(quán))人: | 泰州博遠(yuǎn)科技咨詢有限公司 |
| 主分類號: | B32B15/14 | 分類號: | B32B15/14;B32B15/20;B32B17/02;B32B33/00;B32B37/06;B32B37/10 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 225300 江蘇省泰州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 聚四氟乙烯薄膜層 絕緣介質(zhì)層 高頻高速 納米陶瓷 移動通信 制備工藝 覆銅板 覆銅箔板 銅箔層 制備 聚四氟乙烯分散乳液 預(yù)處理 移動通信技術(shù) 真空熱壓成型 熱處理 絕緣性能 耐化學(xué)性 膨脹系數(shù) 熱穩(wěn)定性 有效保障 半固片 玻纖布 吸水性 防潮 涂抹 調(diào)制 防火 檢驗(yàn) | ||
1.一種F4BM型移動通信用高頻高速覆銅板,包括絕緣介質(zhì)層(1)、納米陶瓷聚四氟乙烯薄膜層(2)和銅箔層(3),其特征在于:所述納米陶瓷聚四氟乙烯薄膜層(2)涂抹在絕緣介質(zhì)層(1)的外表面,所述銅箔層(3)固定連接在納米陶瓷聚四氟乙烯薄膜層(2)的外表面。
2.一種F4BM型移動通信用高頻高速覆銅板的制備工藝,其特征在于:包括以下步驟:
S1、聚四氟乙烯分散乳液調(diào)制:
采用聚四氟乙烯樹脂作為基體樹脂,按配比在攪拌槽內(nèi)依次加入二丙二醇甲醚、硅烷,開啟攪拌器,轉(zhuǎn)速800-1600轉(zhuǎn)/分鐘,保持持續(xù)攪拌并控制槽體溫度在25-50℃,持續(xù)攪拌10-20分鐘,再加入配方量的硅微粉,添加完畢后再持續(xù)攪拌15-55分鐘,再在攪拌槽內(nèi)按配方量依次加入聚四氟乙烯樹脂和二氨基二苯砜固化劑,添加完畢后開啟高效剪切及乳化1.2-4.8小時(shí),同時(shí)進(jìn)行冷卻水循環(huán),保持槽體溫度在25-50℃,制得A組份;按配方量稱取2-乙基咪唑,并加入二丙二醇甲醚,使2-乙基咪唑完全溶解,制得B組份;將A組份和B組份均勻混合,加入攪拌槽內(nèi),并持續(xù)保持800-1600轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速攪拌4-10小時(shí),調(diào)膠完成;
S2、玻纖布的預(yù)處理:
根據(jù)性能、用途及規(guī)格要求,無堿玻璃纖維布浸漬一定比例的聚四氟乙烯分散乳液后,經(jīng)烘燒及高溫?zé)Y(jié)而成聚四氟乙烯玻璃布;
S3、絕緣介質(zhì)層(1)的制備:
絕緣介質(zhì)層(1)是由聚四氟乙烯分散乳液和無堿玻纖布制成半固化片,然后覆上納米陶瓷PTFE膜組成,產(chǎn)品用無堿玻纖布浸漬所選樹脂,通過立式浸膠機(jī)浸漬、烘干及高溫?zé)Y(jié),重復(fù)2-4次;
S4、半固片的熱處理:
制得的半固化片采用熱輻射式烘箱進(jìn)行熱處理,熱輻射式烘箱內(nèi)部橫向分為三個(gè)溫區(qū)進(jìn)行烘干,三個(gè)溫區(qū)的溫度均可調(diào)節(jié);
S5、覆銅箔板真空熱壓成型:
在制得的半固化片上,用0.03mm—0.08mm的納米陶瓷PTFE膜,增加樹脂基體、增強(qiáng)浸入程度以及表面預(yù)浸系統(tǒng)同時(shí)覆上銅箔,經(jīng)真空液壓機(jī)高溫、高壓,復(fù)合制成;
S6、成品的檢驗(yàn):
待產(chǎn)品冷卻后檢查外觀:表面光滑平整、無氣泡、裂縫、孔洞、傷口、皺紋、缺膠,層間不允許有分層現(xiàn)象及其它機(jī)械損傷,檢查外形尺寸:根據(jù)生產(chǎn)通知單檢測,外形尺寸符合用戶使用要求;
S7、包裝:
對成品進(jìn)行打包儲存。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的F4BM型移動通信用高頻高速覆銅板的制備工藝,其特征在于:所述S4步驟中半固化參數(shù)控制如下:
a.浸膠溫度:
上部:260℃—300℃;
中部:150℃—190℃;
下部:80℃—105℃;
b.車速:0.95米/分鐘—1.2米/分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的F4BM型移動通信用高頻高速覆銅板的制備工藝,其特征在于:所述S5步驟在熱壓過程中控制如下工藝參數(shù):
a.真空度:0.02-0.04Mpa;
b.升溫速度:10℃/min;
c.成型溫度:90-240℃;
d.接觸壓力:50-80psi;
e.成型壓力:135-600psi;
f.成型壓制時(shí)間:40-60分鐘。
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