[發(fā)明專利]一種齊納二極管及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910353313.8
• 申請(qǐng)日: 2019-04-29
• 公開（公告）號(hào): CN110071042A
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石鑫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 石鑫
• 主分類號(hào): H01L21/329
• 分類號(hào): H01L21/329;H01L29/866;H01L29/06;H01L21/265
• 代理公司: 深圳邁遼知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44525
• 代理人: 賴耀華

1.一種齊納二極管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一導(dǎo)電類型的襯底；

在所述襯底內(nèi)形成第二導(dǎo)電類型的埋層；

在所述襯底的上表面形成介質(zhì)層以及所述埋層上方的襯底區(qū)域內(nèi)形成第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)，所述摻雜區(qū)包括第一摻雜區(qū)以及間隔環(huán)繞于所述第一摻雜區(qū)外圍的第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)及所述第二摻雜區(qū)的一端自所述襯底表面延伸進(jìn)入所述埋層內(nèi)；

在所述第一摻雜區(qū)上方的介質(zhì)層上形成第一開口；

在所述第一開口內(nèi)以及所述介質(zhì)層表面形成第二導(dǎo)電類型的多晶硅層；

進(jìn)行擴(kuò)散工藝，在所述第一摻雜區(qū)與所述多晶硅層之間形成第一導(dǎo)電類型的淺結(jié)；

去除所述介質(zhì)層上表面以及所述第一開口上方的多晶硅層，保留所述第一開口內(nèi)的多晶硅層；

在所述第二摻雜區(qū)上方的介質(zhì)層上形成第二開口；

形成第一電極與第二電極，所述第一電極與所述第一開口內(nèi)的多晶硅層連接，所述第二電極通過(guò)所述第二開口與所述第二摻雜區(qū)連接。

2.如權(quán)利要求1所述的齊納二極管的制作方法，其特征在于，在所述襯底的上表面形成介質(zhì)層以及所述埋層上方的襯底區(qū)域內(nèi)形成第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)具體包括：

在所述埋層上方的襯底區(qū)域內(nèi)形成多個(gè)沿豎直向上方向間隔排列的第一注入?yún)^(qū)及第二注入?yún)^(qū)，所述第二注入?yún)^(qū)間隔環(huán)繞于所述第一注入?yún)^(qū)的外圍；

在所述襯底表面形成介質(zhì)層；

進(jìn)行對(duì)所述埋層及多個(gè)所述注入?yún)^(qū)的高溫推進(jìn)，以將所述多個(gè)第一注入?yún)^(qū)縱向相接形成第一摻雜區(qū)并與下方的所述埋層連接，所述多個(gè)第二注入?yún)^(qū)縱向相接形成第二摻雜區(qū)并與下方的所述埋層連接。

3.如權(quán)利要求1所述的齊納二極管的制作方法，其特征在于，所述埋層通過(guò)光刻及注入形成，所述埋層的注入能量大于1Mev，注入深度在2-5um之間，注入離子為硼離子，注入劑量在5E14-5E15/cm²之間。

4.如權(quán)利要求1所述的齊納二極管的制作方法，其特征在于，所述介質(zhì)層的厚度在3000A-8000A之間。

5.如權(quán)利要求1所述的齊納二極管的制作方法，其特征在于，所述淺結(jié)的擴(kuò)散溫度在850-1100℃之間，擴(kuò)散時(shí)間在30min-2h之間，擴(kuò)散結(jié)深在0.2um-1um之間。

6.一種齊納二極管，其特征在于，包括：

第一導(dǎo)電類型的襯底；

形成在所述襯底內(nèi)的第二導(dǎo)電類型的埋層；

形成在所述襯底的上表面形成介質(zhì)層以及位于所述埋層上方的襯底區(qū)域內(nèi)的第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)，所述摻雜區(qū)包括第一摻雜區(qū)以及間隔環(huán)繞于所述第一摻雜區(qū)外圍的第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)及所述第二摻雜區(qū)的一端自所述襯底表面延伸進(jìn)入所述埋層內(nèi)；

形成在所述第一摻雜區(qū)上方的介質(zhì)層上的第一開口；

形成在所述第一開口內(nèi)的第二導(dǎo)電類型的多晶硅層；

形成在所述第一摻雜區(qū)與所述多晶硅層之間的第一導(dǎo)電類型的淺結(jié)；

形成在所述第二摻雜區(qū)上方的介質(zhì)層上的第二開口；

第一電極與第二電極，所述第一電極與所述第一開口內(nèi)的多晶硅層連接，所述第二電極通過(guò)所述第二開口與所述第二摻雜區(qū)連接。

7.如權(quán)利要求6所述的齊納二極管的制作方法，其特征在于，所述襯底的電阻率大于1ohm.cm。

8.如權(quán)利要求6所述的齊納二極管的制作方法，其特征在于，所述介質(zhì)層的厚度在3000A-8000A之間。

9.如權(quán)利要求6所述的齊納二極管的制作方法，其特征在于，所述埋層通過(guò)光刻及注入形成，所述埋層的注入能量大于1Mev，注入深度在2-5um之間，注入離子為硼離子，注入劑量在5E14-5E15/cm²之間。

10.如權(quán)利要求6所述的齊納二極管的制作方法，其特征在于，所述淺結(jié)的擴(kuò)散溫度在850-1100℃之間，擴(kuò)散時(shí)間在30min-2h之間，擴(kuò)散結(jié)深在0.2um-1um之間。