[發明專利]超薄封裝結構的制作方法有效
| 申請號: | 201910351684.2 | 申請日: | 2019-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN111863634B | 公開(公告)日: | 2023-10-27 |
| 發明(設計)人: | 孔德榮;闕燕潔 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤安盛科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 超薄 封裝 結構 制作方法 | ||
本發明提供了一種超薄封裝結構的制作方法,在注塑階段,注入大量液態塑封料,使得液態塑封料充分流動至待封裝半導體結構的各個間隙后再固化,避免空氣間隙產生;之后再進行固態塑封料的厚度減薄。好處在于,既滿足了超薄封裝結構中固態塑封料無空氣間隙的需求,又成本較低。
技術領域
本發明涉及芯片封裝技術領域,尤其涉及一種超薄封裝結構的制作方法。
背景技術
近年來,隨著器件小型化的發展趨勢,行業內出現了封裝結構封裝高度低、即超薄封裝的需求。
為滿足上述需求,一種解決方案是采用壓縮塑封技術。然而,壓縮塑封技術所需設備及材料成本都較高,無法大規模應用。
另一種解決方案是采用注塑塑封技術。然而,現有注塑工藝完成超薄封裝后,經常在固態封裝料中發現空氣間隙,這影響封裝結構的良率和性能可靠性。
有鑒于此,本發明提供一種新的超薄封裝結構的制作方法,以低成本方式制作良率高、性能可靠的超薄封裝結構。
發明內容
本發明的發明目的是提供一種超薄封裝結構的制作方法,以低成本方式制作良率高、性能可靠的超薄封裝結構。
為實現上述目的,本發明提供一種超薄封裝結構的制作方法,包括:
提供待封裝半導體結構,對所述待封裝半導體結構注塑成型形成初始封裝結構,所述注塑成型中,所述液態塑封料的注入量大于超薄封裝結構中固態塑封料的量,使液態塑封料充分流動后固化;
對所述初始封裝結構中的固態塑封料進行厚度減薄,形成所述超薄封裝結構。
可選地,所述待封裝半導體結構包括鍵合后的引線框架與芯片;所述引線框架包括外引腳,所述芯片包括焊盤,所述外引腳與所述焊盤通過引線鍵合。
可選地,所述待封裝半導體結構包括鍵合后的引線框架與芯片;所述引線框架包括外引腳,所述芯片包括焊盤,所述外引腳與所述焊盤通過銅夾鍵合。
可選地,通過機械研磨進行所述固態塑封料的厚度減薄。
可選地,所述機械研磨為砂輪打磨。
可選地,所述固態塑封料的材質為環氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、苯并環丁烯樹脂、聚苯并惡唑樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚烯烴、聚氨酯、聚烯烴、聚醚砜、聚酰胺、聚亞氨酯、乙烯-醋酸乙烯共聚物或聚乙烯醇。
可選地,所述初始封裝結構的厚度大于100μm。
可選地,所述注塑成型步驟中,固化用的模具的溫度范圍為:170℃~180℃,和/或液態塑封料的注入速率范圍為:0.1mm/s~5mm/s。
可選地,所述引線的最高點與所述芯片的上表面的距離范圍為:20μm~35μm;所述超薄封裝結構的上表面與所述芯片的上表面的距離范圍為:50μm~80μm。
可選地,所述超薄封裝結構的厚度小于100μm。
與現有技術相比,本發明的有益效果在于:
1)本發明在注塑階段,注入大量液態塑封料,使得液態塑封料充分流動至待封裝半導體結構的各個間隙后再固化,避免空氣間隙產生;之后再進行固態塑封料的厚度減薄。好處在于:既滿足了超薄封裝結構中固態塑封料無空氣間隙的需求,又成本較低。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





