[發(fā)明專利]一種薄膜單晶壓電材料復(fù)合基板的制造方法和應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910351510.6 | 申請(qǐng)日： | 2019-04-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110085736A | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-08-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王信棋;林志東;謝祥政;林彩文 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 廈門市三安集成電路有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L41/312 | 分類號(hào)： | H01L41/312;H01L41/337;H03H9/02;H03H9/64 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 361100 福建省廈門*** | 國(guó)省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 壓電材料 截止層 截止區(qū)域 介質(zhì)材料 薄膜單晶 復(fù)合基板 光刻膠 金屬層 襯底 沉積 去除 化學(xué)機(jī)械研磨 研磨和拋光 激光切割 濕法蝕刻 研磨 損傷層 極化 減薄 鍵合 刻蝕 磨削 涂覆 顯影 與非 植入 離子 應(yīng)用 制造 背面 曝光 修復(fù) | ||
1.一種薄膜單晶壓電材料復(fù)合基板的制造方法，其特征在于：包括以下步驟：步驟S1：在襯底上沉積一層介質(zhì)材料；步驟S2：于介質(zhì)材料上沉積一層金屬層；步驟S3：涂覆光刻膠，曝光，顯影后定義出截止層圖形，形成非截止區(qū)域；步驟S4：采用濕法蝕刻工藝刻蝕非截止區(qū)域的金屬層，并去除光刻膠形成截止層；步驟S5：將壓電材料與非截止區(qū)域的介質(zhì)材料鍵合，壓電材料的硬度小于截止層的硬度；步驟S6：先將壓電材料進(jìn)行研磨減薄，再采用化學(xué)機(jī)械研磨，通過(guò)截止層控制壓電材料的厚度；步驟S7：對(duì)襯底的背面進(jìn)行研磨和拋光；步驟S8：對(duì)截止層區(qū)域進(jìn)行激光切割或邊磨削，去除截止層，即得到薄膜單晶壓電材料復(fù)合基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜單晶壓電材料復(fù)合基板的制造方法，其特征在于：在步驟S1中，所述介質(zhì)材料為SiO2、SiN或AlN。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜單晶壓電材料復(fù)合基板的制造方法，其特征在于：在步驟S1中，介質(zhì)材料的厚度為5-500nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜單晶壓電材料復(fù)合基板的制造方法，其特征在于：在步驟S2中，金屬層的金屬為鎢。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜單晶壓電材料復(fù)合基板的制造方法，其特征在于：在步驟S2中，金屬層的厚度為2-1000nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜單晶壓電材料復(fù)合基板的制造方法，其特征在于：在步驟S4中，濕法蝕刻工藝的蝕刻劑為雙氧水。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜單晶壓電材料復(fù)合基板的制造方法，其特征在于：在步驟S5中，壓電材料是鉭酸鋰、鈮酸鋰或氮化鋁。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜單晶壓電材料復(fù)合基板的制造方法，其特征在于：襯底的聲波速度大于壓電材料的聲波速度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜單晶壓電材料復(fù)合基板的制造方法，其特征在于：壓電材料與截止層之間具有的間隙。
10.由根據(jù)權(quán)利要求1-9所述的任意一種方法制造的薄膜單晶壓電材料復(fù)合基板應(yīng)用在濾波器器件上。
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