[發(fā)明專利]一種預(yù)清洗方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910349953.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-04-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111863591A | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 師帥濤;王文章 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北京*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 清洗 方法 | ||
1.一種預(yù)清洗方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:向反應(yīng)腔室內(nèi)通入流量為第一流量值的工藝氣體,并使所述反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力達(dá)到第一壓力值;
S2:開啟上射頻功率源和下射頻功率源,并設(shè)置所述上射頻功率源和下射頻功率源的輸出功率分別為第一上射頻功率和第一下射頻功率,以使所述工藝氣體起輝;
S3:將所述工藝氣體的流量減小為第二流量值,并使所述反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力減小為第二壓力值;
S4:設(shè)置所述上射頻功率源和下射頻功率源的輸出功率分別為第二上射頻功率和第二下射頻功率,以對(duì)被加工工件進(jìn)行刻蝕。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)清洗方法,其特征在于,所述第一壓力值的范圍為6~8mTorr。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)清洗方法,其特征在于,所述第一流量值的范圍為100~200sccm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)清洗方法,其特征在于,所述第二壓力值的范圍為0.6~0.8mTorr。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)清洗方法,其特征在于,所述第二流量值的范圍為2~10sccm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)清洗方法,其特征在于,所述第一下射頻功率小于所述第二下射頻功率。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的預(yù)清洗方法,其特征在于,所述第一下射頻功率的范圍為20~70W。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的預(yù)清洗方法,其特征在于,所述第二下射頻功率的范圍為100~600W。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)清洗方法,其特征在于,還包括以下步驟:
S5:設(shè)置所述下射頻功率源的輸出功率為第三下射頻功率,其中,所述第三下射頻功率小于所述第二下射頻功率。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的預(yù)清洗方法,其特征在于,所述第三下射頻功率的范圍為1~10W。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的預(yù)清洗方法,其特征在于,還包括以下步驟:
S6:關(guān)閉所述上射頻功率源和所述下射頻功率源;并向所述反應(yīng)腔室內(nèi)通入流量為第三流量值的冷卻氣體,以對(duì)所述被加工工件進(jìn)行冷卻。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的預(yù)清洗方法,其特征在于,所述第三流量值的范圍為200~500sccm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司,未經(jīng)北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910349953.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 一種數(shù)據(jù)庫讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





