[發明專利]一種用于實現可調諧表面等離激元分頻的方法及系統有效
| 申請號： | 201910349586.5 | 申請日： | 2019-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN110031924B | 公開（公告）日： | 2021-07-23 |
| 發明（設計）人： | 林景全;秦楡祿 | 申請（專利權）人： | 長春理工大學 |
| 主分類號： | G02B5/00 | 分類號： | G02B5/00;G02B6/122;G02B6/125;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務所 11569 | 代理人： | 杜陽陽 |
| 地址： | 130022 *** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 實現 調諧 表面 離激元 分頻 方法 系統 | ||
1.一種用于實現可調諧表面等離激元分頻的方法，其特征在于，包括：
在基底制備金屬薄膜；
采用微納加工技術在所述金屬薄膜上刻蝕微納米槽形結構；
采用激光沿所述微納米槽形結構的長軸方向輻照，激發寬頻表面等離激元；
控制所述激光的偏振方向和所述微納米槽形結構的尺寸，高效激發所述寬頻表面等離激元；
調節所述激光的波長，對所述高效激發后的寬頻表面等離激元進行分頻，實現不同頻率的表面等離激元沿不同軌跡傳播；
所述采用微納加工技術在所述金屬薄膜上刻蝕微納米槽形結構，具體包括：
采用納米光刻或聚焦離子束刻蝕或電子束刻蝕技術在所述金屬薄膜上刻蝕微納米槽形結構，所述微納米槽形結構的長寬尺寸分別為10~40μm和0.2~2μm；
所述采用激光沿所述微納米槽形結構的長軸方向輻照，激發寬頻表面等離激元，具體包括：
采用飛秒脈沖激光沿所述微納米槽形結構的長軸方向輻照，激發寬頻表面等離激元。
2.根據權利要求1所述的用于實現可調諧表面等離激元分頻的方法，其特征在于，所述在基底制備金屬薄膜，具體包括：
在基底采用磁控濺射鍍膜工藝或熱蒸鍍鍍膜工藝制備金屬薄膜，所述基底采用固體材料。
3.一種用于實現可調諧表面等離激元分頻的系統，其特征在于，包括：
金屬薄膜制備模塊，用于在基底制備金屬薄膜；
槽形結構刻蝕模塊，用于采用微納加工技術在所述金屬薄膜上刻蝕微納米槽形結構；
激光輻照模塊，用于采用激光沿所述微納米槽形結構的長軸方向輻照，激發寬頻表面等離激元；
高效激發模塊，用于控制所述激光的偏振方向和所述微納米槽形結構的尺寸，高效激發所述寬頻表面等離激元；
分頻模塊，用于調節所述激光的波長，對所述高效激發后的寬頻表面等離激元進行分頻，實現不同頻率的表面等離激元沿不同軌跡傳播；
所述槽形結構刻蝕模塊具體包括：
槽形結構刻蝕單元，用于采用納米光刻或聚焦離子束刻蝕或電子束刻蝕技術在所述金屬薄膜上刻蝕微納米槽形結構，所述微納米槽形結構的長寬尺寸分別為10~40μm和0.2~2μm；
所述激光輻照模塊具體包括：
激光輻照單元，用于采用飛秒脈沖激光沿所述微納米槽形結構的長軸方向輻照，激發寬頻表面等離激元。
4.根據權利要求3所述的用于實現可調諧表面等離激元分頻的系統，其特征在于，所述金屬薄膜制備模塊具體包括：
金屬薄膜制備單元，用于在基底采用磁控濺射鍍膜工藝或熱蒸鍍鍍膜工藝制備金屬薄膜，所述基底采用固體材料。
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