[發(fā)明專利]一種ITO退火工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910348733.7
• 申請日: 2019-04-28
• 公開（公告）號: CN111863342B
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設計）人: 谷全超
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備(集團)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L21/324;H01B13/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發(fā)明公開了一種ITO退火工藝。所述ITO退火工藝包括：S11、將待退火工件固定于載臺上，所述待退火工件包括ITO薄膜，所述ITO薄膜位于所述待退火工件遠離所述載臺的一側；S12、對準激光束在所述ITO薄膜表面形成的光斑的幾何中心和第一表面的幾何中心，所述第一表面為所述ITO薄膜遠離所述載臺的表面；S13、調節(jié)所述光斑的尺寸，使所述光斑的直徑等于第一線段的長度，所述第一線段為穿過所述第一表面的幾何中心且兩端均位于所述第一表面邊緣上的多條線段中長度最短的線段；S14、對所述ITO薄膜上所述光斑所在位置處進行預設時長的曝光。本發(fā)明實施例提供的技術方案，使得ITO薄膜整個待退火區(qū)域能夠同時進行退火，減少了ITO薄膜的退火時長，提高了ITO薄膜的退火產率。

技術領域

本發(fā)明實施例涉及退火工藝領域，尤其涉及一種ITO退火工藝。

背景技術

氧化銦錫(Indium Tin Oxides，ITO)由氧化銦通過摻雜錫獲得，是一種具有良好透明導電性能的n型金屬化合物半導體，具有禁帶寬、可見光透射率高、電阻率低、機械硬度高和化學穩(wěn)定性高等優(yōu)勢，被廣泛應用于平板顯示、導電玻璃、太陽能電池、透明電極等領域。

為改善ITO薄膜的結晶狀態(tài)，減少晶格缺陷，以提高ITO器件的性能，ITO薄膜形成后，需要對其進行退火處理。現有技術中通常采用熱退火或步進掃描式激光退火對ITO薄膜進行退火，其中，熱退火工藝需要對待退火ITO薄膜進行加熱處理，待退火工件全部暴露于加熱環(huán)境中，使得非退火面易受損。步進掃描式激光退火工藝依次掃描完整個待退火表面，溫度集中于表面，能夠解決上述問題，但為了改善退火效果通常采用增加退火遍數的方式，相關文獻也表明，增加激光駐留時間(1000shot)可以改善退火效果，這也意味著需要進一步增加掃描向重疊率以達到預期的退火效果。因此，退火時間比較長，產率將會受到很大的影響，綜合成本相對較高，對于大規(guī)模的工業(yè)應用還存在很大的挑戰(zhàn)。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供一種ITO退火工藝，以提高ITO薄膜的退火產率。

本發(fā)明實施例提供了一種ITO退火工藝，包括：

S11、將待退火工件固定于載臺上，所述待退火工件包括ITO薄膜，所述ITO薄膜位于所述待退火工件遠離所述載臺的一側；

S12、對準激光束在所述ITO薄膜表面形成的光斑的幾何中心和第一表面的幾何中心，所述第一表面為所述ITO薄膜遠離所述載臺的表面；

S13、調節(jié)所述光斑的尺寸，使所述光斑的直徑等于第一線段的長度，所述第一線段為穿過所述第一表面的幾何中心且兩端均位于所述第一表面邊緣上的多條線段中長度最短的線段；

S14、對所述ITO薄膜上所述光斑所在位置處進行預設時長的曝光。

本發(fā)明實施例提供的技術方案，通過在采用激光退火工藝對包括ITO薄膜的待退火工件退火的過程中，調節(jié)激光束在ITO薄膜表面形成的光斑的尺寸，使光斑的直徑等于第一線段的長度，其中，第一線段為穿過第一表面的幾何中心且兩端均位于第一表面邊緣上的多條線段中長度最短的線段，再對ITO薄膜上光斑位置處進行預設時長的曝光，使得ITO薄膜整個待退火區(qū)域能夠同時進行退火，減少了ITO薄膜的退火時長，提高了ITO薄膜的退火產率。

附圖說明

為了更加清楚地說明本發(fā)明示例性實施例的技術方案，下面對描述實施例中所需要用到的附圖做一簡單介紹。顯然，所介紹的附圖只是本發(fā)明所要描述的一部分實施例的附圖，而不是全部的附圖，對于本領域普通技術人員，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖得到其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種ITO退火工藝的流程示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例提供的一種ITO薄膜表面上形成光斑后的俯視結構示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例提供的一種退火過程示意圖；