[發(fā)明專利]基板處理裝置和方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910348696.X | 申請日: | 2019-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN110416120A | 公開(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李相旼;樸舟楫;金鵬;李鐘斗 | 申請(專利權(quán))人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務(wù)所 11410 | 代理人: | 楊黎峰;鐘錦舜 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理空間 閉合位置 閉合步驟 處理基板 位置變化 致動器 腔室 移動 基板處理裝置 基板支撐單元 氣體供應(yīng)單元 控制器控制 控制致動器 發(fā)明構(gòu)思 高壓氣氛 氣體供應(yīng) 控制器 中支撐 外部 基板 敞開 | ||
1.一種基板處理裝置,所述裝置包括:
腔室,所述腔室具有第一主體和第二主體,所述第一主體和所述第二主體彼此結(jié)合以在內(nèi)部形成處理空間;
致動器,所述致動器被構(gòu)造成移動所述第一主體和所述第二主體之間的相對位置,以能夠在閉合位置與打開位置之間進行位置變化,其中在所述閉合位置,所述處理空間與外部隔絕,并且在所述打開位置,所述處理空間向所述外部敞開;
基板支撐單元,所述基板支撐單元被構(gòu)造成在所述處理空間中支撐所述基板;
氣體供應(yīng)單元,所述氣體供應(yīng)單元被構(gòu)造成將氣體供應(yīng)到所述處理空間中以處理所述基板;和
控制器,所述控制器被構(gòu)造成控制所述致動器,
其中所述控制器控制所述致動器以在發(fā)生從所述打開位置到所述閉合位置的位置變化時順序地執(zhí)行:以第一速度移動所述第一主體或所述第二主體的高速閉合步驟,和以低于所述第一速度的第二速度移動所述第一主體或所述第二主體的低速閉合步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述控制器控制所述致動器以在發(fā)生從所述閉合位置到所述打開位置的位置變化時順序地執(zhí)行:以第三速度移動所述第一主體或所述第二主體的低速打開步驟和以高于所述第三速度的第四速度移動所述第一主體或所述第二主體的高速打開步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其中,所述裝置還包括:
夾緊構(gòu)件,所述夾緊構(gòu)件被構(gòu)造成在所述閉合位置將所述腔室夾緊;和
可移動構(gòu)件,所述可移動構(gòu)件被構(gòu)造成將所述夾緊構(gòu)件移動至夾緊位置或松開位置,其中在所述夾緊位置,所述夾緊構(gòu)件夾緊所述第一主體和所述第二主體,在所述松開位置,所述夾緊構(gòu)件與所述第一主體及所述第二主體分離,并且
其中所述控制器控制所述氣體供應(yīng)單元和所述可移動構(gòu)件以執(zhí)行:將所述夾緊構(gòu)件移動至所述夾緊位置的夾緊步驟、在所述腔室處于所述閉合位置的情況下通過將所述氣體供應(yīng)到所述處理空間中來處理所述基板的處理步驟、以及在所述低速閉合步驟和所述低速打開步驟之間將所述夾緊構(gòu)件移動至所述松開位置的松開步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其中在所述處理步驟中,所述控制器控制所述致動器以施加第一壓力以使所述第一主體和所述第二主體朝向彼此移動,并控制所述氣體供應(yīng)單元以通過供應(yīng)到所述處理空間中的所述氣體施加第二壓力,并且
其中所述第二壓力高于所述第一壓力。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置,其中,所述裝置還包括排氣單元,所述排氣單元被構(gòu)造成釋放所述處理空間中的氣氛,并且
其中,在所述處理步驟中在將所述處理空間加壓到所述第二壓力之后,所述控制器控制所述排氣單元以使所述處理空間中的壓力低于所述第一壓力。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的裝置,其中所述第二壓力高于所述氣體的臨界壓力。
7.一種基板處理方法,所述方法包括:
高速閉合步驟,其中以第一速度使第一主體和第二主體朝向彼此移動;
低速閉合步驟,其中以低于所述第一速度的第二速度移動所述第一主體和所述第二主體,以使所述第一主體和所述第二主體彼此緊密接觸;和
處理步驟,其中在所述第一主體和所述第二主體結(jié)合在一起以在內(nèi)部形成的處理空間中用氣體處理所述基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,所述方法還包括:
低速打開步驟,其中在所述處理步驟之后以第三速度使所述第一主體和所述第二主體彼此遠離地移動;和
高速打開步驟,其中以高于所述第三速度的第四速度使所述第一主體和所述第二主體彼此遠離地移動。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,所述方法還包括:
夾緊步驟,其中在所述低速閉合步驟和所述加工步驟之間通過夾緊構(gòu)件夾緊彼此緊密接觸的所述第一主體和所述第二主體;和
松開步驟,其中在所述處理步驟和所述低速打開步驟之間釋放所述夾緊。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





