[發(fā)明專利]一種高效剝離的太陽(yáng)能電池犧牲層及其剝離方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910348480.3 | 申請(qǐng)日: | 2019-04-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111863987A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東泰高科裝備科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0352 | 分類號(hào): | H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 王文君;陳征 |
| 地址: | 102209 北京市昌平*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高效 剝離 太陽(yáng)能電池 犧牲 及其 方法 | ||
1.一種高效剝離的太陽(yáng)能電池犧牲層,所述犧牲層貼附于太陽(yáng)能電池外延結(jié)構(gòu)的下表面且位于襯底的上方,其特征在于,所述犧牲層由超晶格結(jié)構(gòu)構(gòu)成,所述超晶格結(jié)構(gòu)由至少一層量子點(diǎn)層制備而成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的犧牲層,其特征在于,所述超晶格結(jié)構(gòu)由多個(gè)量子點(diǎn)層層疊制備而成時(shí),同一層中量子點(diǎn)的尺寸大小相差不超過(guò)10%,從所述太陽(yáng)能電池外延結(jié)構(gòu)的下表面向下,不同的量子點(diǎn)層中量子點(diǎn)的尺寸逐漸增大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的犧牲層,其特征在于,所述超晶格結(jié)構(gòu)由三層尺寸不同的AlAs量子點(diǎn)層制備而成時(shí),離所述太陽(yáng)能電池外延結(jié)構(gòu)最近的量子點(diǎn)層中量子點(diǎn)的直徑為1~10nm,中間量子點(diǎn)層中量子點(diǎn)直徑范圍為15~20nm,離所述太陽(yáng)能電池外延結(jié)構(gòu)最遠(yuǎn)的量子點(diǎn)層中量子點(diǎn)的直徑為25~30nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的犧牲層,其特征在于,所述三層尺寸不同的AlAs量子點(diǎn)層的制備方法為,先生長(zhǎng)離所述太陽(yáng)能電池外延結(jié)構(gòu)最遠(yuǎn)的量子點(diǎn)層,生長(zhǎng)條件為,溫度800~810℃,生長(zhǎng)時(shí)間為20~25s,總流量為8000~8100sccm;然后生長(zhǎng)中間層量子點(diǎn)層,生長(zhǎng)條件為溫度780~790℃,生長(zhǎng)時(shí)間為15~20s,總流量為7500~7600sccm;最后生長(zhǎng)離所述太陽(yáng)能電池最近的量子點(diǎn)犧牲層,生長(zhǎng)條件為,溫度760~770℃,生長(zhǎng)時(shí)間為10~15s,總流量為7000~7100sccm。
5.一種高效剝離太陽(yáng)能電池犧牲層的方法,將從下至上依次包括襯底、權(quán)利要求1~4任一項(xiàng)所述的犧牲層和太陽(yáng)能電池外延結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池中間體置于電場(chǎng)環(huán)境中,其特征在于,向所述電場(chǎng)環(huán)境中先注入對(duì)所述犧牲層具有氧化作用的氣體,再注入對(duì)所述犧牲層有刻蝕作用的氣體,對(duì)所述犧牲層進(jìn)行剝離。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述具有氧化作用的氣體為氧氣,和/或,所述具有刻蝕作用的氣體為SF6、CF4、CHF3、C4F8、HF、BF3、PF3、Cl2、HCl、SiH2Cl2、SiCl4、BCl3或HBr中的一種或幾種。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法,其特征在于,所述具有氧化作用和對(duì)所述犧牲層有刻蝕作用的氣體的摩爾比為1:45~55。
8.根據(jù)權(quán)利要求5~7任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述犧牲層剝離的具體操作為:設(shè)置等離子體注入腔室的壓強(qiáng)10-5Pa~10Pa,注入腔室的工作壓強(qiáng)范圍為10-3Pa~1000Pa,所述刻蝕氣體與所述氧化氣體的比為1:45~55,先通入具有氧化作用的氣體,再通往具有刻蝕作用的氣體,氣體的流量為1~1000sccm,等離子體電源輸出的功率為300~5000W。
9.根據(jù)權(quán)利要求5~8任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,在所述犧牲層與所述襯底之間設(shè)有緩沖層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





