[發明專利]一種改善平坦化工藝中金屬擠壓缺陷的方法

有效

• 申請號: 201910347751.3
• 申請日: 2019-04-28
• 公開（公告）號: CN110060928B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 于濤;曹秀亮
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種改善平坦化工藝中金屬擠壓缺陷的方法，其特征在于，包括如下步驟：提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有金屬層間介電質層，在所述金屬層間介電質層內形成有獨立的金屬結構，所述金屬層間介電質層上形成有溝槽；

在所述金屬層間介電質層上形成填充層，所述填充層填充所述溝槽，并且所述填充層的厚度高于所述溝槽的深度，所述填充層的材質具有流動性，且所述填充層為抗反射涂層；

刻蝕所述填充層及所述金屬層間介電質層，使所述金屬層間介電質層的上表面形成高度差，且所述金屬結構上方對應的所述金屬層間介電質層的高度，低于所述半導體襯底上所述金屬結構以外的位置處對應的所述金屬層間介電質層的高度；

通過研磨對所述金屬層間介電質層進行平坦化處理。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充層采用旋涂法形成。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述平坦化處理去除的所述金屬層間介電質層的厚度由所述金屬結構上所需保留的金屬層間介電質層厚度決定。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬層間介電質層為氧化物。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述金屬層間介電質層為氧化硅和氮氧化硅中的一種或其組合。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底為硅和鍺硅中的一種或其組合。