[發明專利]半導體襯底的氧化方法以及背照式傳感器芯片的制造方法在審
| 申請號： | 201910345525.1 | 申請日： | 2019-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN110265285A | 公開（公告）日： | 2019-09-20 |
| 發明（設計）人： | 姚公達 | 申請（專利權）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉興市海寧市海*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 半導體 背照式傳感器 水蒸氣 含鹵素氣體 金屬雜質 氧化層 芯片 半導體襯底表面 表面形成金屬 鹵素元素 濕氧氧化 離子化 鹵化物 氧氣 制造 沉淀 擴散 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體襯底的氧化方法，包括如下步驟：
采用含水蒸氣和氧氣的氣體對半導體襯底進行濕氧氧化，在半導體襯底表面形成氧化層；其特征在于：
在上述步驟中同時采用含鹵素氣體，所述含鹵素氣體中的鹵素元素經水蒸氣離子化后，與氣氛中的金屬雜質結合，在所述氧化層的表面形成金屬鹵化物沉淀，抑制金屬雜質向半導體襯底擴散。
2.根據權利要求1所述的半導體襯底的氧化方法，其特征在于，所述含鹵素氣體選自于氯化氫、溴化氫、氯氣、溴氣中的一種或其混合物。
3.根據權利要求1所述的半導體襯底的氧化方法，其特征在于，所述含鹵素氣體氣體的流量是氧氣流量的1/5至1/20。
4.根據權利要求1所述的半導體襯底的氧化方法，其特征在于，進一步包括如下步驟：
采用鹽酸雙氧水混合液清洗氧化層表面以去除金屬鹵化物沉淀。
5.一種背照式傳感器芯片的制造方法，包括如下步驟：
提供半導體襯底；
采用含水蒸氣和氧氣的氣體對半導體襯底進行濕氧氧化，在半導體襯底表面形成氧化層；其特征在于：
在上述步驟中同時采用含鹵素氣體，所述含鹵素氣體中的鹵素元素經水蒸氣離子化后，與氣氛中的金屬雜質結合，在所述氧化層的表面形成金屬鹵化物沉淀，抑制金屬雜質向半導體襯底擴散。
6.根據權利要求5所述的背照式傳感器芯片的制造方法，其特征在于，所述氧化層被用于形成背照式傳感器芯片的柵氧化層或柵極隔片氧化物層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
