[發明專利]制造具有再分布層的半導體封裝件的方法

在審

• 申請號: 201910345056.3
• 申請日: 2019-04-26
• 公開（公告）號: CN110858549A
• 公開（公告）日: 2020-03-03
• 發明（設計）人: 金一煥;姜蕓炳;李忠善
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

1.一種制造半導體封裝件的方法，所述方法包括步驟：

在硅襯底的第一表面處形成多個溝槽；

隨后，在所述多個溝槽中的每一個內形成導電焊盤；

隨后，在所述硅襯底的第一表面上形成再分布層；

隨后，在所述再分布層的第一表面上形成外部連接端子；

隨后，去除所述硅襯底以暴露每個導電焊盤；

隨后，安裝半導體芯片以使其連接至所述導電焊盤；以及

形成密封件以覆蓋所述半導體芯片的至少一個表面。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：在形成所述導電焊盤的步驟之后，在所述硅襯底的第一表面上順序地沉積阻擋層和種子層，

其中，所述再分布層設置在所述種子層上。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述阻擋層包括鈦，并且所述種子層包括銅。

4.根據權利要求2所述的方法，還包括：在去除所述硅襯底的步驟之后，去除所述阻擋層和所述種子層的部分。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，設置在每個導電焊盤與所述再分布層之間的所述阻擋層和所述種子層不被去除。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括步驟：在所述再分布層和所述外部連接端子上形成載片。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述導電焊盤的步驟包括：將所述導電焊盤的上部平坦化。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括步驟：在形成所述外部連接端子的步驟與安裝所述半導體芯片以使其連接至所述導電焊盤的步驟之間，將正在制造的所述半導體封裝件翻轉。

9.根據權利要求8所示的方法，其中，在開始進行在所述硅襯底的第一表面處形成所述多個溝槽的步驟與完成安裝所述半導體芯片以使其連接至所述導電焊盤的步驟之間，正在制造的所述半導體封裝件僅翻轉一次。

10.根據權利要求1所述的方法，包括以下中的至少一者：

所述溝槽形成為具有50nm至300nm的深度；以及

所述導電焊盤之間的距離在從0.5μm至100μm的范圍內。

11.一種制造半導體封裝件的方法，所述方法包括步驟：

在硅襯底的第一表面處形成多個第一溝槽和多個第二溝槽，所述多個第二溝槽形成為具有比所述多個第一溝槽的深度更大的深度；

隨后，在所述多個第一溝槽中的每一個內形成第一導電焊盤，并且在所述多個第二溝槽中的每一個內形成第二導電焊盤；

隨后，在所述硅襯底的第一表面上形成再分布層；

隨后，在所述再分布層的第一表面上形成外部連接端子；

隨后，去除所述硅襯底以暴露每個第一導電焊盤和每個第二導電焊盤；

隨后，安裝第一半導體芯片以使其連接至所述第一導電焊盤；以及

形成密封件以包圍所述第一半導體芯片的至少一個表面。

12.根據權利要求11所述的方法，還包括步驟：在去除所述硅襯底的步驟之后并且在形成所述密封層以包圍所述第一半導體芯片的至少一個表面的步驟之前，安裝第二半導體芯片以使其連接至所述第二導電焊盤。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述第二導電焊盤具有比所述第一導電焊盤的垂直長度更大的垂直長度。

14.根據權利要求11所述的方法，其中，所述第二導電焊盤是互連件，并且每個互連件的頂表面處于與所述第一半導體芯片的頂表面相同的垂直水平或處于比所述第一半導體芯片的頂表面更高的垂直水平。

15.根據權利要求14所述的方法，還包括步驟：在所述第一半導體芯片上堆疊上封裝件，其中，所述上封裝件電連接至所述互連件，并且包括第二半導體芯片。