[發(fā)明專利]一種電驅(qū)動表面等離激元光源結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910344843.6
• 申請日: 2019-04-26
• 公開（公告）號: CN110058434A
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉黎明;遲鋒;張小文;易子川;張智;吳艷花
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)中山學(xué)院
• 主分類號: G02F1/017
• 分類號: G02F1/017;G02B5/00
• 代理公司: 重慶萃智邦成專利代理事務(wù)所(普通合伙) 50231
• 代理人: 竺棟

1.一種電驅(qū)動表面等離激元光源結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括由第一金屬膜(1)、發(fā)光層(2)、第二金屬膜(3)構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)；所述第一金屬膜(1)的上方設(shè)置有發(fā)光層(2)，所述發(fā)光層(2)的上方設(shè)置有第二金屬膜(3)；所述多層結(jié)構(gòu)上設(shè)置有穿孔(4)。

2.如權(quán)利要求1所述的一種電驅(qū)動表面等離激元光源結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述穿孔(4)位于第一金屬膜(1)、第二金屬膜(3)的部分內(nèi)部填充有透明填充物(5)。

3.如權(quán)利要求1所述的一種電驅(qū)動表面等離激元光源結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一金屬膜(1)的下表面設(shè)置有保護(hù)膜(8)；所述第二金屬膜(3)的上表面同樣設(shè)置有保護(hù)膜(8)。

4.如權(quán)利要求1所述的一種電驅(qū)動表面等離激元光源結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述穿孔(4)是設(shè)置于第二金屬膜(1)、發(fā)光層(2)上的孔洞(7)。

5.如權(quán)利要求4所述的一種電驅(qū)動表面等離激元光源結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述孔洞(7)位于第二金屬膜(3)的部分內(nèi)部填充有第二透明填充物(6)。

6.如權(quán)利要求4所述的一種電驅(qū)動表面等離激元光源結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一金屬膜(1)的下表面設(shè)置有第二保護(hù)膜(9)；所述第二金屬膜(3)的上表面同樣設(shè)置有第二保護(hù)膜(9)。

7.如權(quán)利要求1所述的一種電驅(qū)動表面等離激元光源結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述發(fā)光層(2)為量子阱層。

8.如權(quán)利要求7所述的一種電驅(qū)動表面等離激元光源結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述量子阱層為GaAs或InGaAs制成。

9.如權(quán)利要求7所述的一種電驅(qū)動表面等離激元光源結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述量發(fā)光層(5)的厚度為50nm～80nm。

10.如權(quán)利要求1所述的一種電驅(qū)動表面等離激元光源結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一金屬膜(1)、第二金屬膜(3)均是由金或銀或銅制成。