[發明專利]一種提高石墨烯上表面等離激元耦合強度的結構

有效

• 申請號: 201910344842.1
• 申請日: 2019-04-26
• 公開（公告）號: CN109901254B
• 公開（公告）日: 2022-12-13
• 發明（設計）人: 劉黎明;吳艷花;遲鋒;王紅航;張小文;易子川;張智
• 申請（專利權）人: 電子科技大學中山學院
• 主分類號: G02B5/00
• 分類號: G02B5/00
• 代理公司: 重慶萃智邦成專利代理事務所(普通合伙) 50231
• 代理人: 竺棟

1.一種提高石墨烯上表面等離激元耦合強度的結構，其特征在于：包括第一金屬膜（1）、第一發光層（2）、石墨烯層（3）、第二發光層（4）、第二金屬膜（5）構成的多層結構；所述第一金屬膜（1）的上方設置有第一發光層（2），所述第一發光層（2）的上方設置有石墨烯層（3），所述石墨烯層（3）為 V 形波浪平面，所述石墨烯層（3）的上方設置有第二發光層（4），所述第二發光層（4）的上方設置有第二金屬膜（5）；其中，所述第一金屬膜（1）、所述第二金屬膜（5）均作為電源正極，所述石墨烯層（3）作為電源負極。

2. 如權利要求 1 所述的一種提高石墨烯上表面等離激元耦合強度的結構，其特征在于：所述第一發光層（2）、第二發光層（4）為量子阱層。

3. 如權利要求 2 所述的一種提高石墨烯上表面等離激元耦合強度的結構，其特征在于：所述量子阱層為 GaAs 或 InGaAs 制成。

4.如權利要求 3 所述的一種提高石墨烯上表面等離激元耦合強度的結構，其特征在于：所述量子阱層的厚度為 50nm～80nm。

5. 如權利要求 1 所述的一種提高石墨烯上表面等離激元耦合強度的結構，其特征在于：所述第一金屬膜（1）、第二金屬膜（5）均是由金或銀或銅制成。