[發明專利]一種功率器件的三維互連結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201910344722.1
• 申請日: 2019-04-26
• 公開（公告）號: CN110164830B
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 于大全;姜峰;王陽紅
• 申請（專利權）人: 廈門云天半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/485;H01L23/482;H01L23/488;H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 連耀忠;林燕玲

1.一種功率器件的三維互連結構，包含至少一個芯片，該芯片具有第一表面和第二表面，第一表面設有焊盤，其特征在于：還包括載板、第一金屬層和金屬結構；該載板上設有至少一個凸起結構；該第一金屬層沿載板表面延伸至凸起結構表面；芯片的第二表面或焊盤通過導電材料與第一金屬層粘結，且芯片和凸起結構被絕緣材料包封；該絕緣材料表面制備有金屬結構，且部分金屬結構與第一金屬層電性連接，部分金屬結構與芯片的焊盤或第二表面電性連接，所述金屬結構包括金屬再布線層和多個信號端口，該金屬再布線層表面制備有絕緣層；該信號端口與金屬再布線層電性連接。

2.如權利要求1所述的一種功率器件的三維互連結構，其特征在于：所述凸起結構為聚合物或金屬或基體本身材料。

3.一種功率器件的三維互連結構，包含至少一個芯片，芯片具有第一表面和第二表面，第一表面設有焊盤，其特征在于：還包括載板、第一金屬層和金屬結構；該載板表面設有第一金屬層；該第一金屬層設有至少一個凸起結構；芯片的第二表面通過導電材料與第一金屬層粘結，且芯片和凸起結構被絕緣材料包封；該絕緣材料表面制備有金屬結構，部分金屬結構與第一金屬層電性連接，部分金屬結構與芯片的焊盤電性連接，所述金屬結構包括金屬再布線層和多個信號端口，該金屬再布線層表面制備有絕緣層；該信號端口與金屬再布線層電性連接。

4.如權利要求1或3所述的一種功率器件的三維互連結構，其特征在于：所述凸起結構高度大于、等于或小于所述芯片高度；或者所述凸起結構高度為大于20um。

5.如權利要求1或3所述的一種功率器件的三維互連結構，其特征在于：所述載板為有機基板、硅、玻璃或者陶瓷。

6.如權利要求1或3所述的一種功率器件的三維互連結構，其特征在于：所述芯片的第二表面還設有第二金屬層。

7.一種功率器件的三維互連結構制作方法，用于制作權利要求1至6中任一所述的一種功率器件的三維互連結構，其特征在于：包括如下步驟：

1)在載板上制作凸起結構，在載板和凸起結構上表面制作第一金屬層；或者在載板表面制作具有凸起結構的第一金屬層；

2)在第一金屬層上制作導電材料；

3)將芯片的第二表面通過導電材料與第一金屬層貼合；

4)采用絕緣材料包覆凸起結構和芯片，并開孔露出芯片焊盤和凸起結構的局部；

5)在絕緣材料表面制作金屬結構，并使部分金屬結構與第一金屬層電性連接，部分金屬結構與芯片的焊盤電性連接。

8.如權利要求7所述的一種功率器件的三維互連結構制作方法，其特征在于：在步驟3)-步驟5)中，可將芯片的第一表面的焊盤采用倒置方式與第一金屬層電性連接，并使部分金屬結構與芯片第二表面電性連接。

9.如權利要求7所述的一種功率器件的三維互連結構制作方法，其特征在于：采用印刷或者塑封制作所述絕緣材料。