[發明專利]一種低應力SiC單晶的制備裝置在審
| 申請號： | 201910344230.2 | 申請日： | 2019-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN110067020A | 公開（公告）日： | 2019-07-30 |
| 發明（設計）人： | 劉新輝;楊昆;張福生;路亞娟;牛曉龍;鄭清超 | 申請（專利權）人： | 河北同光晶體有限公司 |
| 主分類號： | C30B23/00 | 分類號： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京匯信合知識產權代理有限公司 11335 | 代理人： | 戴鳳儀 |
| 地址： | 071000 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 應力緩沖層 籽晶 坩堝 耐高溫柔性材料 隔熱保溫層 制備裝置 低應力 耐高溫 單晶 外周 金屬材料 低熱導率 多晶原料 感應線圈 高熱導率 環狀結構 晶體的 上蓋 粘接 纏繞 | ||
【權利要求書】：
1.一種低應力SiC單晶的制備裝置，其特征在于：包括耐高溫高熱導率的材料制成的坩堝，其內部的底部裝有SiC多晶原料，所述坩堝上蓋內側固定有耐高溫柔性材料制成的應力緩沖層，所述應力緩沖層用于粘接SiC籽晶，位于籽晶外側緊挨著籽晶設置有用來限制晶體直徑的耐高溫柔性材料制成的應力緩沖環，所述坩堝外周側設置有耐高溫低熱導率的隔熱保溫層，所述隔熱保溫層外周側纏繞有金屬材料制成的感應線圈。
2.根據權利要求1所述的低應力SiC單晶的制備裝置，其特征在于：所述耐高溫高熱導率的材料制成的坩堝為石墨坩堝。
3.根據權利要求1所述的低應力SiC單晶的制備裝置，其特征在于：所述耐高溫柔性材料為柔性石墨材料。
4.根據權利要求3所述的低應力SiC單晶的制備裝置，其特征在于：所述柔性石墨材料為石墨紙或石墨氈。
5.根據權利要求1所述的低應力SiC單晶的制備裝置，其特征在于：所述耐高溫低熱導率的隔熱保溫層為石墨硬氈或軟氈。
6.根據權利要求1所述的低應力SiC單晶的制備裝置，其特征在于：所述感應線圈為Cu感應線圈。
7.根據權利要求1所述的低應力SiC單晶的制備裝置，其特征在于：所述坩堝頂部設置有紅外測溫探頭，所述紅外測溫探頭通過導線連接外面的顯示控制器。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于河北同光晶體有限公司，未經河北同光晶體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910344230.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
