[發明專利]一種金屬氧化物半導體關斷晶閘管及其制作方法在審
| 申請號： | 201910343512.0 | 申請日： | 2019-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN109887992A | 公開（公告）日： | 2019-06-14 |
| 發明（設計）人： | 章美云 | 申請（專利權）人： | 章美云 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/74;H01L21/332 |
| 代理公司： | 深圳邁遼知識產權代理有限公司 44525 | 代理人： | 賴耀華 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市東湖新技術開發*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 外延層 導電類型 注入區 第一導電類型 金屬氧化物半導體 晶閘管 關斷 門極 陰極 工藝控制 工藝制造 氧化硅層 陽極 上表面 襯底 量產 制作 | ||
1.一種金屬氧化物半導體關斷晶閘管的制作方法，其特征在于，包括：
提供第一導電類型的襯底；
在所述襯底下表面形成第二導電類型的第一外延層；
在所述第一外延層下表面形成第二導電類型的第二外延層；
在所述襯底上表面生長第二導電類型的第三外延層；
在所述第三外延層內形成第一導電類型的第一注入區，所述第一注入區的至少部分表面裸露在所述第三外延層的上表面；
在所述第一注入區內形成第一導電類型的第二注入區，所述第二注入區的至少部分表面裸露在所述第一注入區的上表面；
在所述第一注入區內形成第二導電類型的第三注入區，所述第三注入區的至少部分表面裸露在所述第一注入區的上表面，所述第三注入區的一端與所述第二注入區的一端連接；
在所述第三外延層內形成第二導電類型的第四注入區，所述第四注入區的至少部分表面裸露在所述第三外延層的上表面，所述第四注入區不與所述第一注入區連接；
在所述第三外延層的上表面生長氧化硅層，所述氧化硅層的一端與所述第三注入區連接，所述氧化硅層的另一端與所述第四注入區連接；
在所述第二外延層的下表面形成第一金屬層，所述第一金屬層與所述第二外延層連接形成陽極；
在所述第二注入區和所述第三注入區上表面形成第二金屬層，所述第二金屬層不與所述氧化硅層連接，所述第二金屬層與所述第二注入區、第三注入區連接形成陰極；
在所述第四注入區上表面形成第三金屬層，所述第三金屬層與所述第四注入區連接形成第一門極；
在所述氧化硅層上表面形成第四金屬層，所述第四金屬層與所述氧化硅層連接形成第二門極。
2.根據權利要求1所述的金屬氧化物半導體關斷晶閘管的制作方法，其特征在于，所述第三金屬層與所述第四金屬層連接。
3.根據權利要求1所述的金屬氧化物半導體關斷晶閘管的制作方法，其特征在于，所述第一外延層的離子濃度高于所述第二外延層的離子濃度。
4.根據權利要求1所述的金屬氧化物半導體關斷晶閘管的制作方法，其特征在于，第一注入區的離子濃度高于所述第二注入區的離子濃度。
5.根據權利要求1所述的金屬氧化物半導體關斷晶閘管的制作方法，其特征在于，所述第三注入區的離子濃度與所述第四注入區的離子濃度大致相等。
6.根據權利要求1所述的金屬氧化物半導體關斷晶閘管的制作方法，其特征在于，所述第三外延層的電阻率為60-100Ωcm，厚度為12-15微米。
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