[發(fā)明專利]用于BSI圖像傳感器的表面處理

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910343473.4
• 申請日: 2013-04-28
• 公開（公告）號: CN110246855A
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張簡旭珂;吳志楠;林俊澤
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

鄰近半導(dǎo)體襯底的第一面形成的圖像傳感器，其中：

第一介電層形成在所述半導(dǎo)體襯底的第一面的上方；和

互連層形成在所述第一介電層上方；

在所述半導(dǎo)體襯底的第二面上方形成的背照膜，所述背照膜包括：在所述半導(dǎo)體襯底的第二面上形成的抗反射涂料層、以及在所述抗反射涂料層上形成的介電層，其中，所述介電層包括多層氧化物層；以及

在所述半導(dǎo)體襯底的第二面和所述背照膜之間形成的第一硅鹵素化合物層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

在所述半導(dǎo)體襯底的第一面和所述第一介電層之間形成的第二硅鹵素化合物層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

所述第二硅鹵素化合物層包含氟。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

在所述半導(dǎo)體襯底中生長的外延層；

嵌入所述外延層中的所述圖像傳感器；和

嵌入所述外延層中的隔離區(qū)，其中所述圖像傳感器被所述隔離區(qū)包圍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

所述第一硅鹵素化合物層包含氟。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

氟的百分比在0.15％至0.5％的范圍內(nèi)。

7.一種形成半導(dǎo)體裝置的方法，包括：

鄰近襯底的第一面形成圖像傳感器；

減薄所述襯底的第二面；

對所述襯底的第二面實(shí)施鹵素處理；

在所述襯底的第二面上形成背照層；

在所述襯底的第二面上沉積抗反射涂料層；以及

在所述抗反射涂料層上沉積介電層，其中，所述介電層包括多層氧化物層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的形成半導(dǎo)體裝置的方法，還包括：

在所述背照層上方形成金屬層；以及

圖案化所述金屬層以形成金屬屏蔽層和多個柵格。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的形成半導(dǎo)體裝置的方法，還包括：

在所述襯底上生長外延層；以及

在所述外延層中注入離子以形成所述圖像傳感器。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成半導(dǎo)體裝置的方法，還包括：

在所述外延層中形成隔離區(qū)，其中所述隔離區(qū)包圍所述圖像傳感器。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成半導(dǎo)體裝置的方法，還包括：

通過在所述外延層中注入n型離子形成所述圖像傳感器的n型光電二極管區(qū)；以及

通過在所述外延層中注入p型離子形成所述圖像傳感器的p型光電二極管區(qū)；其中所述n型光電二極管區(qū)和所述p型光電二極管區(qū)形成光電二極管區(qū)。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的形成半導(dǎo)體裝置的方法，還包括：

減薄所述襯底直到所述襯底的厚度在3μm至4μm的范圍內(nèi)。

13.一種半導(dǎo)體器件，包括：

光電二極管的陣列，每個所述光電二極管都鄰近半導(dǎo)體襯底的第一面形成；

多個隔離區(qū)，每個所述隔離區(qū)都形成在兩個相鄰的光電二極管之間；

在所述半導(dǎo)體襯底的第二面的頂表面上方形成的第一硅鹵素化合物層；

在所述第一硅鹵素化合物層上形成的抗反射涂料層；以及

在所述抗反射涂料層上形成的介電層，其中，所述介電層包括多層氧化物層。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

包括金屬屏蔽層的黑電平校正區(qū)。