[發明專利]光電轉換元件及其制造方法、成像裝置、光學傳感器

有效

• 申請號: 201910342621.0
• 申請日: 2015-04-21
• 公開（公告）號: CN110265550B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發明（設計）人: 森脅俊貴
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H10K30/60
• 分類號: H10K30/60;H10K30/85;H10K71/00
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 王新春;曹正建

1.一種光電轉換元件，其包括：

第一電極；

有機光電轉換層，其布置在所述第一電極的上層中，所述有機光電轉換層包括一種或多種有機半導體材料；

緩沖層，其布置在所述有機光電轉換層的上層中，所述緩沖層由非晶無機材料構成并且具有7.7至8.0eV的能級，且所述緩沖層與所述有機光電轉換層之間的HOMO能級差為2eV以上；以及

第二電極，其布置在所述緩沖層的上層中。

2.如權利要求1所述的光電轉換元件，其中，所述緩沖層由多種金屬氧化物形成。

3.如權利要求2所述的光電轉換元件，其中，所述金屬氧化物中的至少一者是金屬氧化物半導體。

4.如權利要求2所述的光電轉換元件，其中，所述緩沖層由從如下群組中選擇的多種金屬氧化物形成，所述群組由鋅氧化物、硅氧化物、錫氧化物、鈮氧化物、鈦氧化物、鉬氧化物、鋁氧化物、基于In-Ga-Zn的氧化物(IGZO)、鎂氧化物和鉿氧化物構成。

5.如權利要求1所述的光電轉換元件，其中，所述緩沖層由各自具有不同能級的多個層構成。

6.如權利要求1所述的光電轉換元件，其中，所述緩沖層具有3至300nm的厚度。

7.如權利要求1所述的光電轉換元件，其中，所述緩沖層具有100kΩ/□以上的表面電阻。

8.一種成像裝置，其包括如權利要求1所述的光電轉換元件。

9.一種光學傳感器，其包括如權利要求1所述的光電轉換元件。

10.一種制造光電轉換元件的方法，所述方法包括：

形成第一電極的步驟；

在所述第一電極的上層中形成有機光電轉換層的步驟，所述有機光電轉換層包括一種或多種有機半導體材料；

在所述有機光電轉換層的上層中形成緩沖層的步驟，所述緩沖層由非晶無機材料構成并且具有7.7至8.0eV的能級，且所述緩沖層與所述有機光電轉換層之間的HOMO能級差為2eV以上；以及

在所述緩沖層的上層中形成第二電極的步驟。