[發明專利]防過曝光電路結構及應用該電路的電子裝置

有效

• 申請號: 201910341808.9
• 申請日: 2019-04-25
• 公開（公告）號: CN111586306B
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發明（設計）人: 魏守德;陳韋志
• 申請（專利權）人: 光寶電子(廣州)有限公司;光寶科技股份有限公司
• 主分類號: H04N5/235
• 分類號: H04N5/235;H04N5/359;H04N5/369
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

本發明公開一種防過曝光電路結構及應用該電路的電子裝置，防曝光電路結構包括第一電容、第二電容、光電二極管、第一開關及控制電路。光電二極管耦接于第一電容及第二電容。第一開關串聯于光電二極管。控制電路耦接第一開關，以操作在：當第一電容的電存量或第二電容的電存量低于一預設量時，控制第一開關關閉。如此，可防止像素單元過度曝光。

技術領域

本發明涉及一種電路結構及應用該電路的電子裝置，且特別涉及一種防過曝光電路結構及應用該電路的電子裝置。

背景技術

現有影像擷取裝置擷取目標的影像，并通過所擷取的影像分析目標與影像擷取裝置的距離。然而，在場景內，可能有近物也有遠物。當測距裝置所設定的曝光時間短時，影像中的近物較為清楚，但遠物就不清楚。反之，當測距裝置所設定的曝光時間長時，影像中的遠物變得清楚，但近物就會過曝光。因此，如何提供一防過曝光機制是本領域業者努力目標之一。

發明內容

本發明的目的在于提供一種防過曝光機制的電路結構及應用該電路的電子裝置，以提高所擷取的影像的品質。

根據本發明的一實施例，提出一種防過曝光電路結構。防過曝光電路結構包括一第一電容、一第二電容、一光電二極管、一第一開關及一控制電路。光電二極管(photodiode)耦接于第一電容及第二電容。第一開關串聯于光電二極管。控制電路耦接第一開關，以操作在：當該第一電容的電存量或該第二電容的電存量低于一預設量時，控制該第一開關呈斷路狀態。

根據本發明的另一實施例，提出一種電子裝置。電子裝置包括前述防過曝光電路結構及一處理器。處理器電性耦接防過曝光電路結構。

本發明實施例的電路結構及應用其的電子裝置可防止過度曝光，以提高所擷取的影像的品質。

以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細描述，但不作為對本發明的限定。

附圖說明

圖1繪示依照本發明一實施例的電子裝置的功能方框圖。

圖2A繪示圖1的影像感測器的多個像素單元的示意圖。

圖2B繪示圖2A的影像感測器的防過曝光電路結構的一個像素單元的示意圖。

圖3繪示依照本發明另一實施例的控制電路的示意圖。

圖4繪示依照本發明另一實施例的控制電路的示意圖。

圖5繪示依照本發明另一實施例的防過曝光電路結構的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明的結構原理和工作原理作具體的描述：

請參照圖1，其繪示依照本發明一實施例的電子裝置10的功能方框圖。電子裝置10例如是攝像裝置、測距裝置或臉部辨識裝置。電子裝置10包括影像感測裝置11及處理器(processor)12，處理器12電性耦接影像感測裝置11，可處理影像感測裝置11所提供的信息。影像感測裝置11包括光源110、影像感測器120及控制器130。在一實施例中，影像感測器120與控制器130可整合成單一元件。影像感測器120及/或控制器130例如是采用半導體工藝所形成的實體電路結構(circuit)。在一實施例中，影像感測裝置11例如是采用飛時測距感測(Time of Flight,ToF)裝置。