[發(fā)明專利]刻蝕槽、輸送刻蝕液的方法以及刻蝕系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910341340.3 | 申請日: | 2019-04-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110060945A | 公開(公告)日: | 2019-07-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 盧思源;張文福;劉家樺;葉日銓 | 申請(專利權(quán))人: | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 周衡威 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 刻蝕槽 刻蝕液 刻蝕系統(tǒng) 并行 配置 | ||
本公開涉及一種刻蝕槽,該刻蝕槽包括多個(gè)輸送嘴,多個(gè)輸送嘴均勻地分布在刻蝕槽的底部,并且多個(gè)輸送嘴被配置成并行地將刻蝕液輸送到刻蝕槽中。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,具體來說,涉及一種刻蝕槽、輸送刻蝕液的方法以及刻蝕系統(tǒng)。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體濕法刻蝕工藝中,槽式濕法刻蝕一直占據(jù)很大的比例。槽式濕法刻蝕的工藝發(fā)展至今也越發(fā)成熟和穩(wěn)定。隨著待刻蝕的對(duì)象(例如,硅晶圓)尺寸的加大和特征工藝尺寸的不斷縮小,晶圓上薄膜的均勻性對(duì)產(chǎn)品的良率影響越來越大,濕法刻蝕均勻性也逐漸成為影響良率的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。
在槽式濕法刻蝕中,待刻蝕的對(duì)象通常是成批地浸沒在刻蝕槽內(nèi)的刻蝕液中。常規(guī)的刻蝕槽分為內(nèi)槽體和外槽體,其中內(nèi)槽體的底部設(shè)置有一個(gè)進(jìn)液閥門,而外槽體的底部可以設(shè)置有出液閥門。在內(nèi)槽體的進(jìn)液閥門開啟時(shí),刻蝕液從該進(jìn)液閥門供給到內(nèi)槽體中,隨后在內(nèi)槽體中由下至上流動(dòng),并從內(nèi)槽體上部溢流到外槽體。外槽體中的刻蝕液可以從上向下地流動(dòng),然后從出液閥門流出。流出的刻蝕液可以隨后再次被供給到內(nèi)槽體的進(jìn)液閥門,從而實(shí)現(xiàn)刻蝕液的循環(huán)。
由于常規(guī)的刻蝕槽僅設(shè)置一個(gè)進(jìn)液閥門,所以刻蝕槽內(nèi)各處的刻蝕液流是不均勻的。例如,刻蝕液在流經(jīng)待刻蝕的對(duì)象的表面時(shí)流速不均勻,這將降低片內(nèi)刻蝕均勻性。而且,刻蝕液流在刻蝕槽的上部和下部的波動(dòng)性也是不均勻的,這種不均勻的波動(dòng)性容易引起渦流而造成待刻蝕的對(duì)象的晃動(dòng),使得片間刻蝕均勻性受到影響。此外,刻蝕液流的方向也不均勻和不穩(wěn)定,這會(huì)使污染物在刻蝕槽內(nèi)擴(kuò)散,以至于造成片間交叉污染。
因此,需要提出一種新的技術(shù)來解決上述現(xiàn)有技術(shù)中的一個(gè)或多個(gè)問題。
發(fā)明內(nèi)容
本公開的一個(gè)目的是改善刻蝕槽內(nèi)刻蝕液流的均勻性,從而改善濕法刻蝕均勻性以提高產(chǎn)品的良率。
根據(jù)本公開的第一方面,提供了一種刻蝕槽,該刻蝕槽包括多個(gè)輸送嘴。該多個(gè)輸送嘴均勻地分布在刻蝕槽的底部,并且該多個(gè)輸送嘴被配置成并行地將刻蝕液輸送到刻蝕槽中。
根據(jù)本公開的第二方面,提供了一種輸送刻蝕液的方法,該方法包括:將刻蝕液輸送給多個(gè)輸送嘴;以及通過該多個(gè)輸送嘴將刻蝕液并行地輸送到刻蝕槽中;其中,該多個(gè)輸送嘴均勻地分布在刻蝕槽的底部。
根據(jù)本公開的第三方面,提供了一種刻蝕系統(tǒng),該刻蝕系統(tǒng)包括:根據(jù)本公開的實(shí)施例的任何一種刻蝕槽;以及刻蝕液循環(huán)處理系統(tǒng)。該刻蝕液循環(huán)處理系統(tǒng)被配置為處理來自刻蝕槽的刻蝕液并將經(jīng)處理的刻蝕液并行地輸送給刻蝕槽的多個(gè)輸送嘴。
根據(jù)本公開的實(shí)施例的至少一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于,刻蝕液的流速能夠保持均勻和穩(wěn)定,并且刻蝕液的流動(dòng)方向能夠保持穩(wěn)定,從而改善流經(jīng)待刻蝕的對(duì)象的表面的刻蝕液的流動(dòng)特性并且不會(huì)破壞對(duì)象表面的圖案。因此,本公開的實(shí)施例能夠改善片內(nèi)刻蝕均勻性和片間刻蝕均勻性,并且能夠有效地防止片間交叉污染。
通過以下參照附圖對(duì)本公開的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述,本公開的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。
附圖說明
構(gòu)成說明書的一部分的附圖描述了本公開的實(shí)施例,并且連同說明書一起用于解釋本公開的原理。
參照附圖,根據(jù)下面的詳細(xì)描述,可以更加清楚地理解本公開,其中:
圖1示出了常規(guī)的刻蝕槽的示意圖。
圖2示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的刻蝕槽的示意圖。
圖3示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的第一網(wǎng)板的示意圖。
圖4A和圖4B示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的多個(gè)輸送嘴的布置方案。
圖5示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的優(yōu)選的刻蝕槽。
圖6示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的輸送刻蝕液的方法的流程圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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