[發明專利]半導體襯底管芯鋸切切單系統和方法

在審

• 申請號: 201910341335.2
• 申請日: 2019-04-26
• 公開（公告）號: CN110416118A
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: M·J·塞登
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/68;H01L21/82
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 秦晨

本申請涉及半導體襯底管芯鋸切切單系統和方法。切割半導體襯底的方法的實施方式可包括：使鋸片與半導體襯底的非立方晶格的晶面基本上垂直地對準，并且以與半導體襯底的非立方晶格的晶面基本上垂直的角度切割穿過所述半導體襯底。

技術領域

本文件的各方面整體涉及對半導體襯底進行切單。更具體的實施方式涉及對碳化硅半導體襯底進行切單。

背景技術

通常形成半導體襯底并對其進行切單以便形成半導體管芯。通常使用劃片鋸切工藝來鋸切半導體襯底以從襯底分離管芯。

發明內容

切割半導體襯底的方法的實施方式可包括：使鋸片與半導體襯底的非立方晶格的晶面基本上垂直地對準，并且以與半導體襯底的非立方晶格的晶面基本上垂直的角度切割穿過半導體襯底。

切割半導體襯底的方法的實施方式可包括以下各項中的一項、全部或任一項：

非立方晶格可為六方的。

晶面可與半導體襯底的最大平面表面成四度的角度。

可通過相對于半導體襯底傾斜來對準鋸片。

可通過使半導體襯底相對于鋸片傾斜來對準鋸片。

切割碳化硅半導體襯底的方法的實施方式可包括使鋸片與碳化硅半導體襯底的晶格的偏角基本上垂直地對準，并且使用鋸片以基本上垂直的角度切割穿過碳化硅半導體襯底。

切割碳化硅半導體襯底的方法的實施方式可包括以下各項中的一項、全部或任一項：

鋸片可包括金剛石。

晶面可相對于碳化硅半導體襯底的最大平面表面成四度的角度。

可通過相對于半導體襯底傾斜來對準鋸片。

可通過使半導體襯底相對于鋸片傾斜來對準鋸片。

對碳化硅半導體襯底進行切單的方法的實施方式可包括使鋸片與碳化硅半導體襯底的c軸基本上平行地對準，并且通過以與碳化硅半導體襯底的c軸基本上平行的角度切割碳化硅半導體襯底將碳化硅半導體襯底切單成多個半導體管芯。

對碳化硅半導體襯底進行切單的方法的實施方式可包括以下各項中的一項、全部或任一項：

該方法還可包括使鋸片相對于碳化硅半導體襯底從第一位置傾斜到第二位置，并且沿第一方向切割碳化硅半導體襯底。

該方法還可包括使鋸片傾斜回到第一位置。

該方法還可包括使碳化硅半導體襯底相對于鋸片傾斜，并且切割處于第二位置的碳化硅襯底。

鋸片可包括金剛石。

晶面可相對于碳化硅半導體襯底的最大平面表面成四度的角度。

所述多個半導體管芯中的每個半導體管芯的第一側壁和第二側壁可各自相對于每個半導體管芯的最大平面表面成一定角度。

所述多個半導體管芯中的每個半導體管芯的第三側壁和第四側壁可各自基本上垂直于每個半導體管芯的最大平面表面。

對于本領域的普通技術人員而言，通過說明書和附圖并且通過權利要求書，上述以及其他方面、特征和優點將會顯而易見。

附圖說明

將在下文中結合附圖來描述各實施方式，其中類似標號表示類似元件，并且：

圖1是半導體襯底的剖面側視圖，其中鋸片與半導體襯底的最大平面表面垂直地對準；

圖2是半導體襯底的剖面側視圖，其中鋸片與半導體襯底的晶面垂直地對準；并且