[發明專利]一種低損耗大有效面積色散位移單模光纖及其制造方法

在審

• 申請號: 201910341229.4
• 申請日: 2019-04-25
• 公開（公告）號: CN110058350A
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 成煜;鄧洪昌;徐榮輝;苑立波
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02;G02B6/036
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種低損耗大有效面積色散位移單模光纖，光纖的纖芯半徑r1為2.5～3.5μm，芯層相對折射率差△n₁為+0.45％～+0.55％，芯層摻雜為Cl和Ge；第一包層半徑r2為4.0～5.0μm，相對折射率差△n₂為-0.08％～-0.11％，第一包層摻雜為F摻雜；第二包層半徑r3為7.5～9μm，相對折射率差△n3為+0.12％～+0.17％，第二包層摻雜為Ge、F共摻雜；第三包層半徑r4為10～12μm，相對折射率差△n4為-0.03％～-0.05％，第三包層摻雜為F摻雜；最外層為純二氧化硅。

2.按權利要求1所述的光纖采用PCVD工藝制造，纖芯包含四種元素，分別是Si，O，Ge和Cl；其中Cl的重量比占纖芯玻璃重量的0.5％到0.8％，GeO₂的摩爾比占纖芯的8.5％到10.5％。

3.按權利要求1所述的光纖，其特征在于：光纖的零色散波長小于1500nm。

4.按權利要求1所述的光纖，其特征在于：光纖在1550nm的色散值在3～5ps/nm/km范圍內；在1530nm～1625nm的色散值是2.0ps/nm/km至8.0ps/nm/km之間，1550nm的色散斜率≤0.06ps/nm²/km。

5.按權利要求1所述的光纖，其特征在于：光纖在1550nm的模場直徑是9.6±0.4μm，有效面積大于75μm²。

6.按權利要求1所述的光纖，其特征在于：光纖在1550nm波長的衰耗小于或等于0.185dB/km。

7.按權利要求1所述的光纖，其特征在于：光纖拉絲速度大于1200m/min，優選的拉絲速度為1600m/min。

8.按權利要求1所述的光纖，其特征在于：所述光纖的截止波長小于或等于1500nm。

9.按權利要求1所述的光纖，其特征在于：所述光纖的彎曲損耗在1550nm波長處，以16mm彎曲半徑1圈則小于或等于0.01dB。