[發(fā)明專利]電容性半導(dǎo)體元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910340165.6 | 申請日： | 2019-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN111430328B | 公開（公告）日： | 2021-07-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 川村昌靖;夏目秀隆;藤井康博;熊谷裕弘 | 申請（專利權(quán)）人： | 合肥晶合集成電路股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王華英 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電容 半導(dǎo)體 元件 | ||
1.一種電容性半導(dǎo)體元件，其特征在于，包括：
金屬-氧化物-金屬電容器，所述金屬-氧化物-金屬電容器包括相互耦合而形成配線間電容的多個指狀配線、以及將規(guī)定的所述指狀配線相互連接的共用配線，其中所述金屬-氧化物-金屬電容器是由層疊的金屬層所形成；
柵極電極，位于層疊有所述金屬層的硅襯底上，當(dāng)從所述金屬層層疊方向觀察時，至少一部分與所述指狀配線的圖案重疊，并且具有與所述指狀配線的圖案相同或相似的第一圖案；以及
硅區(qū)域，位于所述硅襯底上，當(dāng)從所述金屬層層疊方向觀察時，至少一部分與所述指狀配線的圖案重疊，并且具有與所述指狀配線的圖案相同或相似的第二圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容性半導(dǎo)體元件，其特征在于：
當(dāng)從層疊方向觀察時，所述指狀配線長度方向的中心軸、所述第一圖案長度方向的中心軸和所述第二圖案長度方向的中心軸是一致的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電容性半導(dǎo)體元件，其特征在于：
所述柵極電極在所述硅襯底上，當(dāng)從所述金屬層層疊方向觀察時，至少一部分與所述共用配線的圖案重疊，并且具有與所述共用配線的圖案相同或相似的第三圖案；
所述硅區(qū)域在所述硅襯底上，當(dāng)從所述金屬層層疊方向觀察時，至少一部分與所述共用配線的圖案重疊，并且具有與所述共用配線的圖案相同或相似的第四圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容性半導(dǎo)體元件，其特征在于：
當(dāng)從層疊方向觀察時，所述共用配線長度方向的中心軸、所述第三圖案長度方向的中心軸和所述第四圖案長度方向的中心軸是一致的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容性半導(dǎo)體元件，其特征在于：
所述硅區(qū)域是導(dǎo)電性區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容性半導(dǎo)體元件，其特征在于：
所述硅區(qū)域包含擴散層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容性半導(dǎo)體元件，其特征在于：
在所述硅區(qū)域所夾區(qū)域內(nèi)形成淺溝隔離。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于合肥晶合集成電路股份有限公司，未經(jīng)合肥晶合集成電路股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910340165.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
