[發(fā)明專利]一種局部集成VO2材料的太赫茲主動(dòng)調(diào)制器及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910337443.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-04-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110048199A | 公開(公告)日: | 2019-07-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張彩虹;李花;吳敬波;金飚兵;陳健 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01P1/20 | 分類號(hào): | H01P1/20;H01P7/00;H01P11/00;G03F7/16;G03F7/20;G03F7/30 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 楊林潔 |
| 地址: | 210093 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 局部集成 主動(dòng)調(diào)制器 金屬諧振器 制備 調(diào)制 過渡金屬氧化物 諧振器結(jié)構(gòu) 單元結(jié)構(gòu) 二氧化釩 器件制備 周期排列 金屬 生長(zhǎng) | ||
本發(fā)明公開了一種局部集成VO2材料的太赫茲主動(dòng)調(diào)制器,包括Al2O3基片,生長(zhǎng)在所述Al2O3基片上的局部集成VO2結(jié)構(gòu)的金屬諧振器結(jié)構(gòu),所述金屬諧振器結(jié)構(gòu)包括多個(gè)周期排列的單元結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還公開了制備上述局部集成VO2材料的太赫茲主動(dòng)調(diào)制器的方法以及調(diào)制方法。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,使用過渡金屬氧化物二氧化釩(VO2),局部集成VO2材料與金屬的諧振器結(jié)構(gòu),器件制備和調(diào)制簡(jiǎn)單快捷。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于太赫茲波傳輸技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種局部集成二氧化釩(VO2)材料的太赫茲主動(dòng)調(diào)制器及其制備方法。
背景技術(shù)
太赫茲技術(shù)在過去二十多年飛速發(fā)展,其在高速無線通信、太赫茲成像和光譜學(xué)方面的應(yīng)用充滿前景,為了實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲技術(shù)的實(shí)際有效的應(yīng)用,需要開發(fā)功能齊全,滿足實(shí)際需求的各種高效太赫茲器件。最近十多年,太赫茲主動(dòng)調(diào)控超材料迅速發(fā)展,一系列超導(dǎo)金屬或氧化物制作的太赫茲超材料,通過變溫,磁場(chǎng)或光泵調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)了對(duì)太赫茲波的調(diào)制,但大多調(diào)控要求高或方式繁瑣,不易于廣泛應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題,本發(fā)明提供了一種局部集成VO2材料的太赫茲主動(dòng)調(diào)制器及其制備方法,設(shè)計(jì)太赫茲主動(dòng)調(diào)制器結(jié)構(gòu)降低調(diào)制需求,實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲信號(hào)傳輸?shù)淖杂烧{(diào)控。
為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明提供的第一種技術(shù)方案為:
一種局部集成VO2材料的太赫茲主動(dòng)調(diào)制器,包括Al2O3基片,生長(zhǎng)在所述Al2O3基片上的局部集成VO2結(jié)構(gòu)的金屬諧振器結(jié)構(gòu),所述金屬諧振器結(jié)構(gòu)包括多個(gè)周期排列的單元結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明提供的第二種技術(shù)方案為:
如上所述一種局部集成VO2材料的太赫茲主動(dòng)調(diào)制器的制備方法,包括如下步驟:(1)在Al2O3基片上生長(zhǎng)VO2薄膜;(2)旋涂光刻膠AZ1500:在已生長(zhǎng)VO2薄膜的所述Al2O3基片上,旋涂光刻膠AZ1500;(3)紫外曝光與顯影:在光刻機(jī)上放置涂好光刻膠AZ1500的Al2O3基片和掩模板并對(duì)準(zhǔn),所述掩膜版的結(jié)構(gòu)為周期結(jié)構(gòu),曝光完以后接著用正膠顯影液進(jìn)行顯影,然后進(jìn)行后烘;(4)使用反應(yīng)離子刻蝕(RIE)工藝刻蝕出VO2結(jié)構(gòu),丙酮清洗光刻膠AZ1500,酒精去離子水清洗后烘干;(5)旋涂?jī)蓪庸饪棠zLOR10b和AZ1500;重復(fù)步驟(3),此時(shí)掩膜版圖形為金結(jié)構(gòu)圖形;(6)濺射金屬膜:使用磁控濺射儀器,在步驟(5)后的Al2O3基片上濺射一層金屬,將濺射了一層金屬的Al2O3基片剝離去除剩下的光刻膠與所述光刻膠上的一層金屬,然后去除剩余的光刻膠得到周期排列的諧振器結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明提供的第三種技術(shù)方案為:
利用如上所述所述一種局部集成VO2材料的太赫茲主動(dòng)調(diào)制器的調(diào)制方法,包括如下3種調(diào)制手段:
1)溫度調(diào)控:將所述局部集成VO2材料的太赫茲主動(dòng)調(diào)制器固定于可控溫樣品架,置于測(cè)試用太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)中,通過控溫臺(tái)加熱調(diào)制太赫茲透射傳輸譜;
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