[發(fā)明專利]濺射用鈦靶

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910337427.3
• 申請日: 2012-04-27
• 公開（公告）號: CN110129744B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發(fā)明（設計）人: 塚本志郎;牧野修仁;福島篤志;八木和人;日野英治
• 申請（專利權）人: 捷客斯金屬株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C25C3/28
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 胡嵩麟;王海川

1.一種濺射用鈦靶，其為高純度鈦靶，其特征在于，含有合計大于1質量ppm且小于等于2.2質量ppm的S作為添加成分，除了添加成分和氣體成分以外，靶的純度為99.995質量％以上，鈦靶晶體組織中的S析出物為50個/mm²以下，并且靶的平均晶粒直徑為10μm以下。

2.如權利要求1所述的濺射用鈦靶，其特征在于，除了添加成分和氣體成分以外的純度為99.999質量％以上。

3.如權利要求1或2所述的濺射用鈦靶，其特征在于，將鈦靶加熱至500℃時靶的0.2％屈服強度為25MPa以上。

4.如權利要求1或2所述的濺射用鈦靶，其特征在于，將鈦靶加熱至500℃時靶的0.2％屈服強度為30MPa以上。

5.如權利要求1或2所述的濺射用鈦靶，其特征在于，鈦靶晶體組織中的S析出物為30個/mm²以下。

6.如權利要求1或2所述的濺射用鈦靶，其特征在于，鈦靶晶體組織中的S析出物為10個/mm²以下。