[發(fā)明專利]一種光子陀螺芯片及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910337314.3 | 申請日： | 2019-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN110082858B | 公開（公告）日： | 2020-07-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 朱剛毅;方銘;仇國慶;李佳平;何思情 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京郵電大學 |
| 主分類號： | G02B6/12 | 分類號： | G02B6/12;G02B6/125;G02B6/136 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 210003 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 光子 陀螺 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種光子陀螺芯片，其特征在于：包括激光器、Y分支波導（7）、諧振腔（10）、直波導一（17）、探測器一和探測器二；
所述Y分支波導（7）的一端連接激光器，另一端連接諧振腔（10）；
所述諧振腔（10）上連接有直波導一（17）；
所述直波導一（17）的一端連接探測器一、另一端連接探測器二；
所述諧振腔（10）包括三根懸臂梁和外接于懸臂梁的圓環(huán)；
所述三根懸臂梁的一端與圓環(huán)的圓心重合，每兩根所述懸臂梁一端之間的夾角為120o。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光子陀螺芯片，其特征在于：
所述激光器通過直波導二（2）連接有n型氮化物平臺一（1）；
所述探測器一通過直波導三（12）連接有n型氮化物平臺二（11）；
所述探測器二通過直波導四（22）連接有n型氮化物平臺三（23）；
所述Y分支波導（7）的一側(cè)連接有n型氮化物平臺四（8），另一側(cè)連接有n型氮化物平臺五（9）。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種光子陀螺芯片，其特征在于：
所述n型氮化物平臺一（1）通過硅柱一（26）支撐；
所述激光器通過硅柱二（27）支撐；
所述諧振腔（10）通過硅柱三（30）支撐；
所述n型氮化物平臺四（8）通過硅柱四（31）支撐；
所述n型氮化物平臺五（9）通過硅柱五（28）支撐
所述探測器一通過硅柱六（29）支撐；
所述探測器二通過硅柱七（33）支撐。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種光子陀螺芯片，其特征在于：所述激光器包括n型氮化物平臺六（34）、氮化物量子阱一（25）、p型氮化物平臺一（6）、p型區(qū)電極一（5）和n型區(qū)電極一（3）；
所述n型氮化物平臺六（34）、氮化物量子阱一（25）、p型氮化物平臺一（6）、p型區(qū)電極一（5）自下而上依次設(shè)置；
所述n型區(qū)電極一（3）沉積于氮化物量子阱一（25）四周的n型氮化物平臺六（34）的上表面；
所述探測器一包括n型氮化物平臺六（34）、氮化物量子阱二（24）、p型氮化物平臺二（20）、p型區(qū)電極二（21）和n型區(qū)電極二（18）；
所述n型氮化物平臺六（34）、氮化物量子阱二（24）、p型氮化物平臺二（20）、p型區(qū)電極二（21）自下而上依次設(shè)置；
所述n型區(qū)電極二（18）沉積于氮化物量子阱二（24）四周的n型氮化物平臺六（34）的上表面；
所述探測器二包括n型氮化物平臺六（34）、氮化物量子阱三（32）、p型氮化物平臺三（15）、p型區(qū)電極三（16）和n型區(qū)電極三（13）；
所述n型氮化物平臺六（34）、氮化物量子阱三（32）、p型氮化物平臺三（15）、p型區(qū)電極三（16）自下而上依次設(shè)置；
所述n型區(qū)電極三（13）沉積于氮化物量子阱三（32）四周的n型氮化物平臺六（34）的上表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種光子陀螺芯片，其特征在于：所述p型區(qū)電極一（5）、p型區(qū)電極二（21）和p型區(qū)電極三（16）的幾何形狀為圓形；
所述p型區(qū)電極一（5）的半徑小于p型氮化物平臺一（6）的半徑；
所述p型區(qū)電極二（21）的半徑小于p型氮化物平臺二（20）的半徑；
所述p型區(qū)電極三（16）的其半徑小于p型氮化物平臺三（15）的半徑；
所述n型區(qū)電極一（3）、n型區(qū)電極二（18）和n型區(qū)電極三（13）的幾何形狀為環(huán)帶形；
所述n型區(qū)電極一（3）的半徑大于p型氮化物平臺一（6）的半徑；
所述n型區(qū)電極二（18）的半徑大于p型氮化物平臺二（20）的半徑；
所述n型區(qū)電極三（13）的半徑大于p型氮化物平臺三（15）的半徑。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種光子陀螺芯片，其特征在于：所述直波導一（17）、直波導二（2）、直波導三（12）、直波導四（22）和Y分支波導（7）的線寬均相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種光子陀螺芯片，其特征在于：所述n型區(qū)電極一（3）、n型區(qū)電極二（18）和n型區(qū)電極三（13）的表面沉積有Au/Ni金屬；
所述p型區(qū)電極一（5）、p型區(qū)電極二（21）和p型區(qū)電極三（16）的表面沉積有Au/Ni金屬；
所述直波導二（2）、直波導三（12）和直波導四（22）的表面沉積有Au/Ni金屬；
所述n型氮化物平臺一（1）、n型氮化物平臺二（11）和n型氮化物平臺三（23）的表面沉積有Au/Ni金屬。
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