[發明專利]具有電極堆疊的液晶顯示裝置

在審

• 申請號: 201910336316.0
• 申請日: 2019-04-24
• 公開（公告）號: CN110058461A
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 李錫烈
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

一種代表性的裝置包括：定義一間隙的第一和第二基板；液晶層位于間隙并具有多個顯示像素；且透明電極堆疊設置于第一基板與液晶層之間；其中各堆疊具有第一共用電極、像素電極以及第二共用電極，第一共用電極位于第一基板與像素電極之間，且像素電極位于第一共用電極與第二共用電極之間；且其中，在平面圖中，沿著第一方向測量像素電極的寬度寬于第二共用電極的寬度，且將第二共用電極定位使得在第二共用電極的第一側露出像素電極的第一部分、與在第二共用電極的第二側相對側露出像素電極的第二部分。

技術領域

本發明是有關于顯示技術。

背景技術

多種顯示技術如液晶顯示器(liquid crystal displays，LCDs)，被廣泛地用于電子元件中，諸如筆記本電腦、智能手機、數碼相機、廣告型顯示器以及高精度電視。此外，其他顯示技術如有機發光二極管(organic light-emitting diodes，OLEDs)亦愈來愈受到注意。

液晶顯示器面板，舉例而言，可如Wu等人所提出的美國公告專利案第6,956,631號中所揭露般配置，該專利已讓與友達光電股份有限公司(AU Optronics Corp.)，即本案申請人的母公司，并將其全部內容通過引用并入本文。如Wu等人在圖1中所揭露，液晶顯示器面板可包含頂部偏振器、下方偏振器、液晶單元(liquid crystal cell)以及背光。從背光發出的光線穿過下方偏振器、穿過液晶單元然后穿過頂部偏振器。如Wu等人在圖1中所進一步揭露，液晶單元可包含下方玻璃基板以及包含彩色濾光片的上方基板。可于玻璃基板上以陣列形成多個個包含薄膜晶體管(thin film transistor，TFT)的像素，并可于玻璃基板與彩色濾光片間的間隔填充液晶化合物以形成一層液晶材料。

然而，顯示器中薄膜晶體管的結構可有多種變化。舉例而言，薄膜晶體管、柵極線、數據線以及像素電極可形成于多層結構中，如Lai等人所提出的美國公告專利案第7,170,092號中的圖1與圖2E及其分案美國公告專利案第7,507,612號中所示，兩者皆已讓與友達光電股份有限公司，即本案申請人的母公司，并將兩者全部內容通過引用并入本文。多層結構可包含第一導電層、第一絕緣層、半導體層、摻雜半導體層以及第二導電層依序設置于基板上。多層結構可進一步包含第二絕緣層以及設置于第二絕緣層上的像素電極。第一導電層可包含至少一條柵極線或柵極電極。摻雜半導體層可包含源極與漏極。第二導電層可包含源極電極與漏極電極。多層結構可藉由使用一連串的濕式與干式蝕刻制程形成，舉例而言，如Lai等人的圖2A-2D中所揭露。

Chen所提出的美國公告專利案第7,652,285號(后稱Chen 285’)中揭露用以形成薄膜晶體管的其他技術，該專利已讓與友達光電股份有限公司，即本案申請人的母公司，并將該專利全部內容通過引用并入本文。如Chen所揭露，為形成薄膜晶體管的溝道，蝕刻第二金屬層以打開一部分位于柵極電極上方的第二金屬層并將源極區與漏極區分開。可由多種方式執行此蝕刻，包含如Chen285’的舉例圖式圖2A-2E中所揭露的背側溝道蝕刻制程(back-channel etching process)，以及Chen 285’的舉例圖式圖55A-5D與圖66中所揭露的蝕刻停止制程(etch stop process)。Chen 285’揭露可藉由加入一間隔層來降低薄膜晶體管的逸漏電流，間隔層形成于導電的摻雜非晶硅層的側壁處，將導電的非晶硅層與絕緣層隔開。Chen 285’揭露在執行第二金屬層的蝕刻后，此間隔層可藉氧化導電的非晶硅層的曝露表面形成。Chen 285’揭露可藉由多種不同技術氧化此表面，包含氧等離子體灰化(oxygen plasma ashing)，或于四氟化碳(carbon tetrafluoride)和六氟化硫氣體(sulfur hexafluoride gases)的存在下使用臭氧等離子體。