[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910335438.8
• 申請(qǐng)日: 2019-04-24
• 公開（公告）號(hào): CN111863821A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11517
• 分類號(hào): H01L27/11517;H01L27/11524;H01L27/11548
• 代理公司: 北京睿派知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11597
• 代理人: 劉鋒;方巖

1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括依次疊置的有源區(qū)基底、停止層、浮柵材料層及硬掩膜層；

刻蝕預(yù)定區(qū)域的所述硬掩膜層和所述浮柵材料層至露出所述停止層，以形成分立的浮柵；

沉積覆蓋所述浮柵和所述停止層的第一氧化層；

刻蝕所述浮柵之間的第一氧化層、停止層和有源區(qū)基底，以形成凹槽；

去除所述第一氧化層；

氧化所述浮柵的表面，以形成第二氧化層；

去除所述第二氧化層，以使得所述浮柵下方的有源區(qū)基底的頂部邊緣平滑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述浮柵的尺寸小于相鄰所述凹槽之間的有源區(qū)基底的尺寸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積覆蓋所述浮柵的第一氧化層具體為采用原子層沉積法形成所述第一氧化層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化層的厚度為60-80埃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一氧化層具體為采用濕法刻蝕工藝去除所述第一氧化層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化所述浮柵的表面的方法包括：快速熱氧化法、槽平面天線氧化法、等離子體注入氧化法及臭氧氧化法。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述浮柵材料層為多晶硅，所述第二氧化層為二氧化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述第二氧化層的方法具體為采用濕法刻蝕工藝去除所述第二氧化層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕所述浮柵之間的第一氧化層、停止層和有源區(qū)基底具體為采用各向異性的刻蝕方法刻蝕所述浮柵之間的第一氧化層、停止層和有源區(qū)基底。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件的形成方法還包括：

去除所述硬掩膜層；

形成覆蓋所述凹槽表面和所述浮柵表面的隔離層，所述隔離層的上表面高于所述浮柵的上表面；

回刻蝕所述隔離層，以形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

形成覆蓋所述浮柵和所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的柵介質(zhì)層；

在所述柵介質(zhì)層上形成橫跨所述浮柵的控制柵。

11.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括具有凹槽的有源區(qū)基底和在有源區(qū)基底頂部的停止層；

浮柵，所述浮柵形成在所述有源區(qū)基底上；

其中，所述浮柵下方的有源區(qū)基底的頂部邊緣平滑。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述浮柵的尺寸小于相鄰所述凹槽之間的有源區(qū)基底的尺寸。