[發(fā)明專利]像素界定層及其制作方法、陣列基板、顯示面板和裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910335137.5
• 申請(qǐng)日: 2019-04-24
• 公開（公告）號(hào): CN110034170B
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 侯文軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 張?bào)銓?/td>

1.一種像素界定層，其特征在于，包括位于襯底上，設(shè)置有至少一凸起結(jié)構(gòu)的界定膜層；

所述凸起結(jié)構(gòu)位于所述界定膜層遠(yuǎn)離所述襯底的一面，且所述凸起結(jié)構(gòu)具有疏液性；所述凸起結(jié)構(gòu)包括至少一納米顆粒，所述納米顆粒的直徑為20納米到200納米；所述納米顆粒為磁性顆粒，或?yàn)閹щ婎w粒；

所述凸起結(jié)構(gòu)的高度是100納米到800納米，所述凸起結(jié)構(gòu)的形狀為圓錐形。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素界定層，其特征在于，所述納米顆粒的直徑為20納米到200納米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的像素界定層，其特征在于，所述納米顆粒的材料包括四氧化三鐵、三氧化二鐵、氧化亞鐵中的任一種或多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素界定層，其特征在于，當(dāng)所述界定膜層設(shè)置有至少兩個(gè)所述凸起結(jié)構(gòu)時(shí)，相鄰兩所述凸起結(jié)構(gòu)之間的距離是50納米到800納米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素界定層，其特征在于，所述界定膜層的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、氟化聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、氟化聚酰亞胺中的任一種或多種。

6.一種陣列基板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的像素界定層。

7.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求6所述的陣列基板。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求7所述的顯示面板。

9.一種像素界定層的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，在所述襯底上涂布一層光刻膠，所述光刻膠中含有納米顆粒，所述納米顆粒的直徑為20納米到200納米；所述納米顆粒為磁性顆粒，或?yàn)閹щ婎w粒；

對(duì)所述光刻膠進(jìn)行前烘處理；

對(duì)前烘處理后的光刻膠施加外部作用力，使得所述光刻膠形成遠(yuǎn)離所述襯底的至少一凸起結(jié)構(gòu)，所述凸起結(jié)構(gòu)具有疏液性，所述凸起結(jié)構(gòu)的高度是100納米到800納米，所述凸起結(jié)構(gòu)的形狀為圓錐形；

對(duì)形成所述至少一凸起結(jié)構(gòu)的光刻膠進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成像素界定層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，

所述納米顆粒在所述光刻膠中的濃度為0.2wt％到5wt％。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，

所述對(duì)前烘處理后的光刻膠施加外部作用力，使得所述光刻膠形成遠(yuǎn)離所述襯底的至少一凸起結(jié)構(gòu)，包括：

將涂布有所述光刻膠的襯底置于外部磁場(chǎng)或電場(chǎng)中，以使所述納米顆粒向遠(yuǎn)離所述襯底的方向運(yùn)動(dòng)，使得所述光刻膠形成遠(yuǎn)離所述襯底的至少一凸起結(jié)構(gòu)。