[發明專利]硅單晶的制造方法及硅單晶的提拉裝置有效
| 申請號： | 201910334491.6 | 申請日： | 2019-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN110408991B | 公開（公告）日： | 2022-03-29 |
| 發明（設計）人： | 金原崇浩;片野智一 | 申請（專利權）人： | 勝高股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 殷超;譚祐祥 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅單晶 制造 方法 裝置 | ||
1.一種硅單晶的制造方法，使用提拉裝置制造硅單晶，所述提拉裝置具備：腔室；石英坩堝，其設置在前述腔室內；和加熱器，其以將前述石英坩堝包圍的方式配置，并將前述石英坩堝加熱，其特征在于，
將在提拉中被導入到前述提拉裝置內的氣體僅從形成在與前述加熱器的背面的至少一部分重疊的位置的排氣口排氣。
2.如權利要求1所述的硅單晶的制造方法，其特征在于，
前述加熱器具備多個第1加熱部、和第2加熱部，形成為蜿蜒狀，所述多個第1加熱部分別沿上下方向延伸，在與上下方向正交的寬度方向上設有間隙而排列，所述第2加熱部將前述多個第1加熱部各自的上端彼此及各自的下端彼此交替地連結；
從前述加熱器的背面排氣的排氣口形成在與前述第1加熱部的背面的至少一部分重疊的位置。
3.如權利要求2所述的硅單晶的制造方法，其特征在于，
從前述加熱器的背面排氣的排氣口形成在將前述第1加熱部的上端彼此連結的第2加熱部與將前述第1加熱部的下端彼此連結的第2加熱部之間。
4.如權利要求3所述的硅單晶的制造方法，其特征在于，
從前述加熱器的背面排氣的排氣口形成在與前述第1加熱部的背面重疊的位置。
5.一種硅單晶的提拉裝置，其特征在于，
具備：
腔室；
石英坩堝，其設置在前述腔室內；
加熱器，其以將前述石英坩堝包圍的方式配置，將前述石英坩堝加熱，和
排氣流路，其將在提拉中被導入到前述腔室內的氣體僅從形成在與前述加熱器的背面的至少一部分重疊的位置的排氣口排氣。
6.如權利要求5所述的硅單晶的提拉裝置，其特征在于，
前述加熱器具備多個第1加熱部、和第2加熱部，形成為蜿蜒狀，所述多個第1加熱部分別沿上下方向延伸，在與上下方向正交的寬度方向上設有間隙而排列，所述第2加熱部將前述多個第1加熱部各自的上端彼此及各自的下端彼此交替地連結；
從前述加熱器的背面排氣的排氣口形成在與前述第1加熱部的背面的至少一部分重疊的位置。
7.如權利要求6所述的硅單晶的提拉裝置，其特征在于，
從前述加熱器的背面排氣的排氣口形成在將前述第1加熱部的上端彼此連結的第2加熱部與將前述第1加熱部的下端彼此連結的第2加熱部之間。
8.如權利要求7所述的硅單晶的提拉裝置，其特征在于，
從前述加熱器的背面排氣的排氣口形成在與前述第1加熱部的背面重疊的位置。
9.如權利要求5～8中任一項所述的硅單晶的提拉裝置，其特征在于，
具備熱遮蔽體，其設置在前述石英坩堝的上方，并將來自前述石英坩堝內的硅熔液的熱遮蔽。
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