[發(fā)明專利]顯示裝置及制造其的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910334076.0 | 申請日: | 2019-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN110400887A | 公開(公告)日: | 2019-11-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金載益;金在植;李娟和;李濬九;丁世勳;鄭知泳 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 潘懷仁;王珍仙 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)射層 緩沖層 有機(jī)發(fā)光顯示裝置 空穴 顯示裝置 像素電極 控制層 能級 工藝穩(wěn)定性 像素限定膜 對置電極 分子軌道 制造工藝 基板 制造 損傷 | ||
一種顯示裝置及制造其的方法,通過減少在制造工藝期間對有機(jī)發(fā)光顯示裝置的損傷,而具有提高的工藝穩(wěn)定性和可靠性。有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基板、多個像素電極、像素限定膜、分別設(shè)置在像素電極上的多個空穴控制層、分別設(shè)置在空穴控制層上的多個發(fā)射層、分別設(shè)置在發(fā)射層上的多個緩沖層以及整體提供在緩沖層上方的對置電極,緩沖層中的每一個具有的最高占有分子軌道(HOMO)能級大于多個發(fā)射層中的每一個的HOMO能級。
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求于2018年4月24在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請?zhí)?0-2018-0047314的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益,其全部內(nèi)容通過引用并入。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開的一個或多個實施方式涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置和制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法,并且例如,涉及通過在制造工藝中減少對有機(jī)發(fā)光裝置的損傷而具有提高的工藝穩(wěn)定性和可靠性的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,以及制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術(shù)
有機(jī)發(fā)光顯示裝置是其中像素包括有機(jī)發(fā)光器件的顯示裝置。有機(jī)發(fā)光器件可包括像素電極、面向像素電極的對置電極以及提供在像素電極和對置電極之間的發(fā)射層。
對于實現(xiàn)全色的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,各個像素區(qū)可發(fā)射具有彼此不同顏色的光,并且可使用沉積掩模形成在多個像素中整體形成的每個像素的發(fā)射層和對置電極。隨著有機(jī)發(fā)光顯示裝置的分辨率逐漸提高,沉積工藝中使用的掩模的開縫的寬度逐漸減小,并且還要求其分散逐漸降低。此外,為了制造高分辨率有機(jī)發(fā)光顯示裝置,應(yīng)減少或消除陰影效應(yīng)。因此,可使用當(dāng)基板和掩模彼此緊密接觸時進(jìn)行沉積工藝的方法。
然而,當(dāng)基板和掩模彼此緊密接觸時進(jìn)行沉積工藝時,掩模可能損傷像素電極的上層。
發(fā)明內(nèi)容
一個或多個實施方式包括通過在制造工藝中減少對有機(jī)發(fā)光器件的損傷而具有提高的工藝穩(wěn)定性和可靠性的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
實施方式的其他方面將部分在下文的描述中闡述,并且部分將從描述中顯而易見,或可通過呈現(xiàn)的實施方式的實踐來獲知。
根據(jù)一個或多個實施方式,顯示裝置包括基板;多個像素電極,其在基板上被圖案化以彼此間隔開布置;像素限定膜,其通過暴露多個像素電極中的每一個的中心部分并且覆蓋多個像素電極中的每一個的邊緣來限定像素區(qū);多個空穴控制層,其分別布置在通過像素區(qū)暴露的多個像素電極上;多個發(fā)射層,其分別布置在多個空穴控制層上;多個緩沖層,其分別設(shè)置在多個發(fā)射層上,多個緩沖層中的每一個具有的最高占有分子軌道(HOMO)能級大于多個發(fā)射層中的每一個的HOMO能級;以及整體提供在多個緩沖層上方的對置電極。
多個緩沖層中的每一個的最低未占分子軌道(LUMO)能級可具有介于對置電極的功函和多個發(fā)射層中的每一個的LUMO能級之間的值。
多個空穴控制層中的每一個都可包括選自空穴注入層(HIL)和空穴傳輸層(HTL)中的至少一個。
顯示裝置可進(jìn)一步包括整體提供在多個緩沖層和對置電極之間的電子控制層。
多個緩沖層中的每一個的最低未占分子軌道(LUMO)能級可具有介于電子控制層的LUMO能級和多個發(fā)射層的LUMO能級之間的值。
電子控制層可包括選自電子注入層(EIL)和電子傳輸層(EML)中的至少一個。
多個緩沖層可包括低分子量有機(jī)材料。
多個緩沖層可包括電子傳輸材料。
多個緩沖層可包括金屬氧化物材料。
多個緩沖層可直接布置在多個發(fā)射層上,以接觸多個發(fā)射層。
位于多個像素電極中的任意一個上的多個空穴控制層、多個發(fā)射層和多個緩沖層的末端部分可彼此對齊。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





