[發明專利]用于發射X射線的場致發射器件及其制備方法有效
| 申請號： | 201910333271.1 | 申請日： | 2019-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN110071027B | 公開（公告）日： | 2022-02-15 |
| 發明（設計）人： | 張道書;侯玉欣;陳明;李威威;何可;鐘國華;楊春雷 | 申請（專利權）人： | 深圳先進技術研究院 |
| 主分類號： | H01J35/06 | 分類號： | H01J35/06;H01J9/02;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人： | 孫偉峰 |
| 地址： | 518055 廣東省深圳*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 發射 射線 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于發射X射線的場致發射器件，其特征在于，包括：
基底(10)；
金屬電極層(20)，設置于所述基底(10)上；
銅基底層(30)，設置于所述金屬電極層(20)上；
硫化亞銅納米線層(40)，設置于所述銅基底層(30)上；
氧化石墨烯層(50)，設置于所述硫化亞 銅納米線層(40)上，所述氧化石墨烯層(50)厚度為10nm～15nm。
2.根據權利要求1所述的用于發射X射線的場致發射器件，其特征在于，所述基底(10)為玻璃基底，所述金屬電極層(20)為鉬或鎘金屬電極層，其中，所述金屬電極層(20)的厚度為150nm～250nm。
3.根據權利要求1所述的用于發射X射線的場致發射器件，其特征在于，所述硫化亞 銅納米線層(40)中的納米線的直徑范圍為0.1μm～0.18μm，納米線的長度范圍為1.5μm～3μm，納米線的長徑比為8.3～30。
4.一種用于發射X射線的場致發射器件的制備方法，其特征在于，包括：
在基底(10)上形成金屬電極層(20)；
在所述金屬電極層(20)上形成銅基底層(30)；
在所述銅基底層(30)上形成硫化亞銅納米線層(40)；
采用旋涂工藝在所述硫化亞銅納米線層(40)上旋涂氧化石墨烯溶液，以形成氧化石墨烯層(50)，所述氧化石墨烯層(50)厚度為10nm～15nm。
5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述在所述銅基底層(30)上形成硫化亞銅納米線層(40)的具體方法包括：
加熱所述銅基底層(30)，以在所述銅基底層(30)的背向所述金屬電極層(20)的表面上形成氧化銅層(60)；
將氧化銅層(60)置于硫化氫混合氣體中，以形成硫化亞銅納米線層(40)。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：
將氧化銅層(60)置于硫化氫混合氣體后，保持所述氧化銅層(60)所處環境壓強為0.5千帕，并保持環境溫度為37攝氏度，其中所述硫化氫混合氣體中硫化氫氣體和空氣的比例為1:4。
7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，采用磁控濺射工藝在所述基底(10)上濺射金屬材料以形成金屬電極層(20)；采用磁控濺射工藝在所述金屬電極層(20)上濺射銅材料以形成銅基底層(30)。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳先進技術研究院，未經深圳先進技術研究院許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910333271.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：X射線發生裝置及X射線攝影裝置
- 下一篇：一種透射電子顯微鏡用原位樣品桿
