[發明專利]芯片制造方法和裝置

有效

• 申請號: 201910332872.0
• 申請日: 2019-04-24
• 公開（公告）號: CN110335928B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 胡棄疾;康建;楊天鵬;楊建國;卜浩禮
• 申請（專利權）人: 江西圓融光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/42
• 分類號: H01L33/42;H01L33/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;劉芳

本發明實施例提供一種芯片制造方法和裝置。本發明提供的芯片制造方法包括：對外延片進行第一處理；對第一處理后的外延片上的ITO薄膜進行等離子體清洗，獲得清洗后的ITO薄膜；對清洗后的ITO薄膜進行熔合處理，獲得ITO合金；根據獲得ITO合金的外延片，制造芯片。實現了清除合成的ITO中雜質的目的，提高ITO結晶的質量。解決了因對含有雜質的ITO薄膜進行熔合而降低熔合后的ITO結晶的質量的問題以及芯片質量差的問題。

技術領域

本發明實施例涉及LED芯片制造技術領域，尤其涉及一種芯片制造方法和裝置。

背景技術

氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)薄膜材料是一種重摻雜的N型半導體材料，具有較寬的能隙(E＝3.5～4.3eV)。作為納米銦錫金屬氧化物，ITO具有很好的導電性和透明性，通常噴涂在玻璃、塑料、電子顯示屏及發光二極管(Light Emitting Diode，LED)芯片上，用作透明導電薄膜。其中，在LED芯片中，通過ITO薄膜的導電性進行電流擴展，同時，由于ITO膜具有良好的透明性，可以提高LED芯片的出光效率。因此，在LED芯片的制造過程中，ITO薄膜的制造是很重要的一個環節。

在制造LED芯片時，由于ITO熔合前，ITO薄膜表面形貌不規整，ITO顆粒分布比較松散，顆粒與顆粒之間孔洞和間隙較多，ITO顆粒的粒徑較小且形狀不一。因此，在制造LED芯片的過程中，要對ITO進行熔合，ITO熔合后，晶相擇優生長，晶粒尺寸變大，細小的ITO顆粒發生團聚變成大顆粒，ITO薄膜的結晶度得到明顯改善。晶界缺陷密度降低，晶界散射減少，電子遷移率隨之增加，載流子濃度隨之提高，薄膜電導率上升。

但是，由于ITO熔合前，ITO顆粒之間存在孔洞和間隙，在實際生產過程當中ITO熔合前LED芯片必須經過涂膠、去膠處理，但是，在ITO薄膜去膠后，ITO的表面會有納米級的薄層殘膠，ITO顆粒之間的孔洞和間隙中殘膠會更多。并且，芯片在ITO成膜作業過程中及各車間的轉移過程中難免會粘附有細小的灰塵等雜質，即使使用去離子水清洗后，也不可能將殘留的灰塵、殘膠等雜質百分之百地去除干凈。在ITO熔合時，這些雜質將會包在ITO顆粒之間或與ITO熔合在一起，影響ITO結晶的質量，從而LED芯片的質量。

發明內容

本發明實施例提供一種芯片制造方法和裝置，以去除制造芯片過程中的殘膠，從而提高芯片的質量。

第一方面，本發明實施例提供一種芯片制造方法，包括：

對外延片進行第一處理，所述第一處理包括：蒸鍍ITO前清洗、蒸鍍ITO透明導電層、ITO光刻、ITO透明導電層圖形化、ITO圖形化后去膠、干法刻蝕技術(InductivelyCoupled Plasma，ICP)光刻、ICP刻蝕露出N區、ICP刻蝕后去膠；

對第一處理后的外延片上的ITO薄膜進行等離子體清洗，獲得清洗后的ITO薄膜；

對清洗后的ITO薄膜進行熔合處理，獲得ITO合金；

根據獲得ITO合金的外延片，制造芯片。

在本發明第一方面的一些實施例中，所述對第一處理后的ITO薄膜進行等離子體清洗，獲得清洗后的ITO薄膜，包括：

利用第一等離子體清洗所述第一處理后的ITO薄膜，獲得第一步清洗后的ITO薄膜；

利用第二等離子體清洗所述第一步清洗后的ITO薄膜，獲得清洗后的ITO薄膜。

在本發明第一方面的一些實施例中，第一等離子體包括：氧氣和四氟化碳。

在本發明第一方面的一些實施例中，所述氧氣的流量為：5sccm-100sccm，所述四氟化碳的流量為：0sccm-240sccm。

在本發明第一方面的一些實施例中，利用第一等離子體清洗所述第一處理后的ITO薄膜，包括：