[發明專利]半導體裝置及其制造方法在審
| 申請號： | 201910332638.8 | 申請日： | 2019-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN110620095A | 公開（公告）日： | 2019-12-27 |
| 發明（設計）人： | 顧詩章;林宗澍;陳琮瑜;洪文興;李虹錤 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/427 | 分類號： | H01L23/427;G06F1/20 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知識產權代理有限公司 | 代理人： | 康艷青;姚開麗 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;TW |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蒸氣室 蓋體 半導體裝置 封裝 高性能處理器 三維集成電路 圖形處理單元 高性能芯片 高功率 熱性能 上晶片 上芯片 散熱 襯底 應用 芯片 制造 | ||
【權利要求書】：
1.一種制造半導體裝置的方法，其特征在于，包括：
在襯底上布置多管芯的所述半導體裝置；以及
在所述半導體裝置上放置蒸氣室蓋體，其中所述蒸氣室蓋體的第一表面的熱輸入區域熱耦合到所述多管芯的所述半導體裝置的表面。
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