[發明專利]在薄膜上生成微納米多孔結構的設備、方法和制得的薄膜

在審

• 申請號: 201910331519.0
• 申請日: 2019-04-24
• 公開（公告）號: CN110253873A
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發明（設計）人: 郭四平;周永俊
• 申請（專利權）人: 常州三提新材料有限公司
• 主分類號: B29C59/16
• 分類號: B29C59/16;B65H23/26;B82Y40/00;B29L7/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種在薄膜上生成微納米多孔結構的設備，其特征在于，包括

滾筒(100)，其具有空腔(110)，在所述空腔內設置有磁性元件(120)；

輸送機構(200)，用于輸送薄膜(10)；

加熱器(300)，其設置于滾筒(100)外側，用于對滾筒(100)外的薄膜(10)加熱；以及

顆粒轟擊裝置(400)，其設置于滾筒(100)外側，用于在磁場作用下，向所述滾筒(100)上的薄膜(10)以超音速噴射微納米顆粒；

其中，所述加熱器(300)和顆粒轟擊裝置(400)沿所述薄膜(10)的輸送路徑依次設置，所述磁性元件(120)用于向所述顆粒轟擊裝置(400)與所述滾筒(100)外表面之間的區域提供磁場。

2.根據權利要求1所述的在薄膜上生成微納米多孔結構的設備，其特征在于，所述磁性元件(120)固定在所述滾筒(100)的空腔(110)內，可相對于所述滾筒(100)轉動。

3.根據權利要求2所述的在薄膜上生成微納米多孔結構的設備，其特征在于，所述磁性元件(120)設置在滾筒(100)的內壁上。

4.根據權利要求1所述的在薄膜上生成微納米多孔結構的設備，其特征在于，所述輸送機構(200)包括沿薄膜(10)輸送路徑依次設置的輸送輥(210)、第一導向輥(220)、第二導向輥(230)和回收輥(240)，第一導向輥(220)和第二導向輥(230)分別設置于滾筒(100)的兩側的底部。

5.根據權利要求1所述的在薄膜上生成微納米多孔結構的設備，其特征在于，所述顆粒轟擊裝置(400)包括：顆粒混勻腔體(410)、料斗(420)、壓縮氣體入口(430)以及噴嘴(440)；

所述顆粒混勻腔體(410)用于收容所述微納米顆粒，所述料斗(420)設置在所述顆粒混勻腔體(410)的上方，與所述顆粒混勻腔體(410)連通；所述壓縮氣體入口(430)設置在所述顆粒混勻腔體(410)上，用于輸入壓縮氣體；所述噴嘴(440)設置在所述顆粒混勻腔體(410)的一側，用于輸出微納米顆粒，所述噴嘴(440)相對于所述滾筒(100)的外表面設置。

6.根據權利要求5所述的在薄膜上生成微納米多孔結構的設備，其特征在于，所述顆粒混勻腔體(410)包括與所述噴嘴(440)連接的錐形部(411)；

所述噴嘴(440)包括與所述錐形部(411)連接的一端以及遠離所述錐形部(411)的開口(441)；所述磁性顆粒從所述開口(441)輸出；所述噴嘴(440)與所述錐形部(411)連接的一端的橫截面積大于與所述開口(441)的橫截面積。

7.一種在薄膜上生成微納米多孔結構的方法，應用如權利要求1-6任一項所述的在薄膜上生成微納米多孔結構的設備，其特征在于，包括如下步驟：

將薄膜(10)輸送到滾筒(100)并覆蓋于滾筒(100)外表面；

加熱覆蓋于所述滾筒(100)外表面的薄膜(10)，以使所述薄膜(10)的表面塑化；

在磁場作用下，采用顆粒轟擊裝置(400)轟擊覆蓋于所述滾筒(100)外表面的薄膜(10)，以在所述薄膜(10)上形成呈自然形態分布的微納米多孔結構。

8.根據權利要求7所述的在薄膜上生成微納米多孔結構的方法，其特征在于，所述磁場為所述顆粒轟擊裝置(400)與所述滾筒(100)外表面之間的磁場，由滾筒(100)內的磁性元件(120)提供。

9.一種微納米多孔結構薄膜，其特征在于，所述薄膜表面具有微納米多孔結構，所述微納米多孔結構采用如權利要求8所述的方法生成到所述薄膜表面。

10.一種如權利要求9所述的微納米多孔結構薄膜，其特征在于，所述微納米多孔結構薄膜應用于機械工程、揚聲器、醫學、手術、航天器推進或分析儀器中。