[發明專利]冷卻裝置和半導體處理設備有效
| 申請號: | 201910330151.6 | 申請日: | 2019-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN111834247B | 公開(公告)日: | 2023-09-08 |
| 發明(設計)人: | 宋新豐 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 冷卻 裝置 半導體 處理 設備 | ||
1.一種冷卻裝置,其特征在于,所述冷卻裝置包括吹掃組件,所述吹掃組件包括進氣主管路、與所述進氣主管路并聯連接的若干個進氣支管路以及分別與各所述進氣支管路連接的若干個吹掃件,各所述吹掃件排列形成第一非完整環形結構;
所述吹掃件包括一個吹掃管路,所述吹掃管路上設置有至少兩組吹掃孔,每組均包括若干個吹掃孔,并且,每組所包括的吹掃孔尺寸和/或數量不同于其他組;或者,
所述吹掃件包括至少兩個并列設置的吹掃管路,每個所述吹掃管路上均設置有若干個吹掃孔,并且,每個所述吹掃管路上的吹掃孔尺寸和/或數量均不同于其他吹掃管路;
在垂直于所述第一非完整環形結構所在平面的方向上,位于頂部的吹掃孔的尺寸和數量分別小于位于底部的吹掃孔的尺寸和數量。
2.根據權利要求1所述的冷卻裝置,其特征在于,所述吹掃組件還包括若干個第一調節閥,每個所述進氣支管路上均串接有一個所述第一調節閥,用以調節該進氣支管路的進氣量。
3.根據權利要求1所述的冷卻裝置,其特征在于,所述吹掃孔沿對應的所述吹掃管路的軸線方向等間距設置。
4.根據權利要求1或2所述的冷卻裝置,其特征在于,所述進氣主管路與各所述進氣支管路、各所述吹掃件一體成型。
5.根據權利要求1或2所述的冷卻裝置,其特征在于,所述冷卻裝置還包括排氣組件,所述排氣組件包括排氣主管路、與所述排氣主管路并聯連接的若干個排氣支管路以及與各所述排氣支管路連接的勻流件,所述勻流件上設置有若干個勻流孔,各所述勻流孔排列形成第二非完整環形結構。
6.根據權利要求5所述的冷卻裝置,其特征在于,所述第一非完整環形結構與所述第二非完整環形結構共同構成完整環形結構。
7.根據權利要求5所述的冷卻裝置,其特征在于,所述勻流件內設置有若干個隔離件,所述若干個隔離件將所述勻流件內部隔離形成若干個排氣通道,每個排氣通道與對應的所述排氣支管路連通。
8.根據權利要求5所述的冷卻裝置,其特征在于,所述排氣組件還包括若干個第二調節閥,每個所述排氣支管路上均串接有一個所述第二調節閥,用以調節該排氣支管路的排氣量。
9.根據權利要求5所述的冷卻裝置,其特征在于,所述排氣主管路的排氣端口處形成負壓。
10.一種半導體處理設備,其特征在于,包括權利要求1至9中任意一項所述的冷卻裝置。
11.根據權利要求10所述的半導體處理設備,其特征在于,所述半導體處理設備還包括工藝腔室、與所述工藝腔室連接的微環境、設置在所述微環境內并可升降地承載件,所述承載件用于承載晶圓;所述吹掃組件設置在所述微環境內,并與所述承載件上的晶圓相對應,并且,
在所述冷卻裝置包括排氣組件時,所述排氣組件設置在所述微環境內,與所述吹掃組件相對設置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京北方華創微電子裝備有限公司,未經北京北方華創微電子裝備有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910330151.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





