[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201910330130.4 | 申請日: | 2019-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN110021653B | 公開(公告)日: | 2021-02-12 |
| 發明(設計)人: | 劉軍;閆梁臣;周斌;李偉;蘇同上;黃勇潮;羅標;桂學海 | 申請(專利權)人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人: | 張筱寧 |
| 地址: | 230012 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制造 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明實施例提供了一種陣列基板,包括;襯底基板、依次位于襯底基板上的半導體有源層、柵極、以及源極和漏極,還包括:第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層、第一過孔和第二過孔。其中,第一過孔貫穿第三絕緣層,且在設置有彩色色阻的每一像素單元中,第一過孔位于相鄰兩彩色色阻之間,用于后續填充相鄰兩彩色色阻中的一個。第二過孔貫穿第二絕緣層,第二過孔的位置與第一過孔的位置對應,且在平行于襯底基板的方向上。在制作彩色色阻時,中間彩色色阻無需進行縮進,直接形成一色阻交疊,使得無需進行色阻交疊防漏光,并且在設置平坦層后,平坦層的厚度均勻,不易脫落。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體為陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置。
背景技術
近些年來,大尺寸有機發光二極管由于其頂柵相比底柵具有高開態電流(Ion)、更高開口率和更好的陣列基板穩定性而受到關注。
大尺寸有機發光二極管目前采用COA(ColorFilterOnArray)技術,即將彩膜層設置在陣列基板包括的無機膜上,而后進行有機膜平坦化的技術。由于彩膜層形成于無機膜上,而且厚度較厚,突出于無機膜之上,為保證平坦化效果,隨后的有機膜平坦化時厚度亦較厚,會降低開口區域的透過率,而且為防止漏光,目前在不同顏色的彩膜層之間的邊緣會產生交疊,如圖1所示,圖1中示出了位于襯底基板1上的藍色色阻15與綠色色阻14交疊的情況,但因彩膜層色度和色規要求較高,在交疊后,由于交疊位置處彩膜層的厚度較厚,使得在設置平坦層時,交疊位置處的平坦層的厚度較薄,容易產生平坦層脫落的風險,降低了陣列基板的可靠性。
發明內容
有鑒于此,本發明提供陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置,解決現有技中容易產生平坦化層脫落的風險的問題。
為了解決上述問題,本發明實施例主要提供如下技術方案:
在第一方面中,本發明實施例公開了一種陣列基板,包括:襯底基板、依次位于襯底基板上的半導體有源層、柵極、以及源極和漏極,還包括:第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層、第一過孔和第二過孔;
所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述第三絕緣層依次設置在設置有所述源極和所述漏極的襯底基板上;
所述第一過孔貫穿所述第三絕緣層,且在設置有彩色色阻的每一像素單元中,所述第一過孔位于相鄰兩彩色色阻之間,用于后續填充相鄰兩彩色色阻中的一個;
所述第二過孔貫穿所述第二絕緣層,所述第二過孔的位置與所述第一過孔的位置對應,且在平行于所述襯底基板的方向上,所述第二過孔的寬度大于所述第一過孔的寬度,用于后續填充與對應位置處的所述第一過孔內顏色相同的彩色色阻。
可選地,所述第一絕緣層和第三絕緣層的材料為氧化硅,所述第二絕緣層的材料為氮化硅。
可選地,在垂直于所述襯底基板方向上,所述第一過孔的中心軸與所述第二過孔的中心軸重合。
可選地,在平行于所述襯底基板的方向上,所述第一過孔的寬度為6微米到10微米。
可選地,在平行于所述襯底基板的方向上,且在第一過孔的中心軸的同一側,所述第二過孔的側邊與所述第一過孔的側邊之間的距離為8微米到12微米。
可選地,在垂直于所述襯底基板的方向上,所述第一過孔的截面為長條狀,所述第二過孔的截面為長條狀。
可選地,陣列基板還包括彩膜層,所述彩膜層位于所述第三絕緣層上。
可選地,彩膜層包括紅色色阻、綠色色阻和藍色色阻;
在每一像素單元中,其中一個所述第一過孔和該第一過孔對應位置處的第二過孔內填充有藍色色阻,另一個所述第一過孔和該第一過孔對應位置處的第二過孔內填充有紅色色阻。
可選地,還包括平坦層,設置在所述彩膜層上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





