[發(fā)明專利]一種摻N正交相第Ⅲ主族硫?qū)倩锛爸苽浞椒?/span>有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910329901.8 | 申請日： | 2019-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN109999881B | 公開（公告）日： | 2021-05-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 溫翠蓮;李瑞峰;張致遠;薩百晟;白諾楠;彭建邦 | 申請（專利權）人： | 福州大學 |
| 主分類號： | B01J27/24 | 分類號： | B01J27/24;B01J37/08 |
| 代理公司： | 福州元創(chuàng)專利商標代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡學俊 |
| 地址： | 350002 福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 交相 主族硫?qū)倩?/a> 制備 方法 | ||
1.一種摻N正交相第Ⅲ主族硫?qū)倩锏闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢翰捎没瘜W氣相沉積法制備得到摻N正交相第Ⅲ主族硫?qū)倩铮錇闅鍤鈿夥障律蒒摻雜的InSe、InS、GaSe和GaS中的任意一種；所述方法包括以下步驟：
(1) 將前驅(qū)物以及銀箔基底按照氣流方向分別放置在三溫區(qū)的高溫管式爐中；其中，三溫區(qū)分別放置S源和Se源中的一種、In源和Ga源中的一種、銀箔基底；
(2) 將反應腔的真空度抽至6KPa，通入氬氣對高溫管式爐的反應腔進行清洗；
(3) 通入氬氣和氨氣，同時加熱三溫區(qū)的高溫管式爐，反應生成N摻雜的InSe、InS、GaSe和GaS中的任意一種，沉積于銀箔基底上；
(4) 自然冷卻至室溫后同時關閉氬氣和氨氣，即在銀箔基底上得到摻N正交相第Ⅲ主族硫?qū)倩铩?/p>
2.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1) 所述的銀箔基底預先進行處理，其包括，將銀箔基底放入NaOH溶液中清洗，后在去離子水溶液中進行超聲清洗，再將清洗完畢的基底進行高溫預退火處理。
3.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)通入氬氣和氨氣的流速分別為50-60sccm和10-30sccm。
4.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述的S源是S粉；所述的Se源是Se粉；所述的In源是粉體In2O3；所述的Ga源是三乙基鎵。
5.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(3) 所述S源的加熱溫度為170-200℃；所述Se源的加熱溫度為240-270℃；所述In源的加熱溫度為610-640℃；所述Ga源的加熱溫度為80-110℃，所述銀箔基底的加熱溫度為660-690℃。
6.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(4)的反應時間為10-20min。
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