[發明專利]一種超分辨共振干涉光刻結構有效
| 申請號： | 201910329752.5 | 申請日： | 2019-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN110007568B | 公開（公告）日： | 2020-11-13 |
| 發明（設計）人： | 楊學峰;張書霞;曾鈺;汪艦;賈二廣;祝瑩瑩 | 申請（專利權）人： | 河南理工大學 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 鄭州紅元帥專利代理事務所(普通合伙) 41117 | 代理人： | 楊妙琴 |
| 地址： | 454000 河南*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 分辨 共振 干涉 光刻 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種超分辨共振干涉光刻結構：其特征在于，所述的光刻結構包括第一對稱分布的非對稱納米單縫金屬結構層、光刻膠層、第二對稱分布的非對稱納米單縫金屬結構層和襯底層，所述的第一對稱分布的非對稱納米單縫金屬結構層和第二對稱分布的非對稱納米單縫金屬結構層構成了單向激發表面等離子體波的耦合器件，所述第一對稱分布的非對稱納米單縫金屬結構層、光刻膠層和第二對稱分布的非對稱納米單縫金屬結構層共同構成了基于表面等離子體的金屬波導共振腔結構；光刻膠層厚度為20 nm～500nm；光刻膠層的厚度由入射光波長及上下兩種金屬的材料和厚度所決定；非對稱納米單縫金屬結構層的材料為Cr、Au、Ag或Al，縫寬參數w為20nm～500nm，d為100nm～2000nm，厚度h1為20nm～500nm，厚度h為50nm～1000 nm；襯底層是由石英或者聚對苯二甲酸乙二醇酯組成。
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