[發明專利]一種高集成微陣列LED封裝模塊制作方法

在審

• 申請號: 201910329487.0
• 申請日: 2019-04-23
• 公開（公告）號: CN111834347A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 李浩;楊私私;王曉鵬;李峰;郝晶龍;王好偉
• 申請（專利權）人: 石家莊費米原科技有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/58;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高集成微陣列LED封裝模塊制作方法，包括以下步驟：

S1，提供LED預制件，包括微陣列透鏡蓋板、外延片，所述微陣列透鏡蓋板包括微陣列透鏡、金屬布線層和電極焊盤；所述外延片包括襯底、緩沖層和外延層，所述外延片的邊緣區域設置有安裝區，清洗所述外延片表面；

S2，對所述外延片進行陣列加工，加工的溝道深度至所述緩沖層處，得到呈陣列排布的若干芯片，在所述芯片表面設置P電極；

S3，將所述微陣列透鏡蓋板安裝在所述外延片上；

S4，將所述微陣列透鏡蓋板倒置，采用激光剝離工藝對所述外延片進行襯底剝離，剝離位置為所述緩沖層處；

S5，清理所述緩沖層殘余，對所述芯片表面進行處理，制作N電極；

S6，將所述微陣列透鏡蓋板安裝在基板上，得到高集成微陣列LED封裝模塊。

2.根據權利要求1所述的一種高集成微陣列LED封裝模塊制作方法，其特征在于：提供的所述微陣列透鏡蓋板的制作方法包括以下步驟：

S11，利用模具通過熔融壓合模成型工藝得到所述微陣列透鏡，所述模具包括上模具和下模具，所述上模具壓合得到透鏡曲面，所述下模具得到凸條、布線凹槽和平板三部分組成的微陣列透鏡下表面；

S12，將所述微陣列透鏡倒置，在所述布線凹槽處設置金屬布線層，在所述凸條十字交匯處設置電極焊盤，完成微陣列透鏡蓋板制作。

3.根據權利要求1所述的一種高集成微陣列LED封裝模塊制作方法，其特征在于：將所述微陣列透鏡蓋板安裝在所述外延片上包括以下步驟：

S31，在所述外延片的安裝區上設置第一墊片，所述第一墊片與所述外延片的平邊處形成灌膠口；

S32，將所述電極焊盤與所述芯片的P電極相連，在所述灌膠口處注入第一膠體，進行固化操作，完成安裝。

4.根據權利要求1所述的一種高集成微陣列LED封裝模塊制作方法，其特征在于：將所述微陣列透鏡蓋板安裝在基板上包括以下步驟：

S61，在所述基板上設置電極焊點，將所述電極焊點與所述芯片的N電極相連；

S62，在所述微陣列透鏡蓋板與所述基板間注入第二膠體，在所述第一墊片上放置第二墊片，進行固化操作，得到高集成微陣列LED封裝模塊。

5.根據權利要求1所述的一種陣列LED封裝模塊，其特征在于：所述外延片尺寸為2英寸、4英寸或8英寸。

6.根據權利要求2所述的一種陣列LED封裝模塊，其特征在于：所述透鏡曲面為多個透鏡單元呈陣列分布形成或自由曲面。

7.根據權利要求2所述的一種陣列LED封裝模塊，其特征在于：所述平板上設置所述凸條，所述凸條呈十字網狀排列，相鄰所述凸條平行間距與相鄰所述芯片間距相同，所述凸條內設置有布線凹槽。

8.根據權利要求3或4所述的一種高集成微陣列LED封裝模塊制作方法，其特征在于：所述芯片、所述電極焊盤與所述電極焊點相互對應，均呈陣列分布，陣列周期為50 -250μm。

9.根據權利要求4所述的一種高集成微陣列LED封裝模塊制作方法，其特征在于：通過絲網印刷工藝在所述基板設置電極焊點，通過共晶工藝將所述電極焊點與所述芯片的N電極相連。