[發(fā)明專(zhuān)利]一種基于銅摻雜硫化鎘納米線的光電傳感器及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910328691.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-04-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110047973B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-05-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 范佳旭 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 范佳旭 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/18 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/18;H01L21/02;H01L31/0296;H01L31/09;B82Y30/00;B82Y40/00;C01G11/02 |
| 代理公司: | 北京航智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11668 | 代理人: | 黃川;史繼穎 |
| 地址: | 118000 遼寧省丹*** | 國(guó)省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 摻雜 硫化 納米 光電 傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于銅摻雜硫化鎘納米線的光電傳感器的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)以氧化鋁陶瓷片為基底,進(jìn)行清洗吹干后,采用鏤空掩膜遮擋的方法,在襯底表面利用電子束蒸發(fā)方法沉積若干“十”字形Au/Ti薄膜陣列,金屬薄膜厚度分別為Au:20nm,Ti:100nm;
(2)在襯底的Au/Ti膜上沿設(shè)定的方波狀路線燒蝕劃刻出寬度4μm的絕緣溝槽,制備兩排指叉狀電極;
(3)采用氣相生長(zhǎng)設(shè)備利用Au作為催化劑,通過(guò)高溫氣相生長(zhǎng)法制備Cu摻雜的CdS納米線,所用的氣相生長(zhǎng)設(shè)備包括管式爐,管式爐設(shè)有多段垂直爐壁,將爐體內(nèi)空間分隔為四個(gè)隔斷,每個(gè)隔斷分別設(shè)有獨(dú)立的加熱體,加熱體由測(cè)溫與控溫機(jī)構(gòu)控制,氣相生長(zhǎng)管穿過(guò)爐體,底部一側(cè)底部放置有陶瓷舟,氣相生長(zhǎng)管另一側(cè)設(shè)有梯形突起的平臺(tái),平臺(tái)下方連接有冷卻部,將襯底放置于突起平臺(tái)上,將硫化鎘和硫化銅粉體研磨混合后裝入陶瓷舟中,用機(jī)械真空泵抽氣,并通入氮?dú)庖耘懦龤埩艨諝猓缓蠓謩e控制四段加熱體開(kāi)始加熱,以15℃/min將陶瓷舟所在位置的第一隔斷升溫,同時(shí)分別以13℃/min、11℃/min、10℃/min升溫速度使第二、三、四隔斷的溫度升高,各隔斷溫度分別達(dá)到750℃、690℃、630℃、580℃,隨后開(kāi)啟冷卻部對(duì)平臺(tái)進(jìn)行冷卻,使平臺(tái)上部的溫度降至550℃,以150SCCM的流量送入氮?dú)猓⑹拐婵斩缺3衷?0Torr,維持40min,生長(zhǎng)Cu摻雜的CdS納米線,自然降溫至室溫;
(4)將襯底取出、切割分離各“十”字形單元;在Au/Ti膜上焊接金屬導(dǎo)線,得到銅摻雜的CdS納米線光電傳感器搭接電路。
2.如權(quán)利要求1所述的一種基于銅摻雜硫化鎘納米線的光電傳感器的制備方法,其特征在于,摻雜入CdS中的Cu原子百分比大于0,且小于等于7%,可調(diào)控。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種基于銅摻雜硫化鎘納米線的光電傳感器的制備方法,其特征在于,步驟(2)中單電極寬度10μm,長(zhǎng)度30μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





