[發(fā)明專利]一種嵌套獨(dú)立水冷結(jié)晶器實(shí)現(xiàn)電渣熔鑄去除補(bǔ)貼的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910328515.7
• 申請(qǐng)日: 2019-04-23
• 公開（公告）號(hào): CN110014136B
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳瑞;熊云龍;婁延春;王安國;張春銘;宋照偉;王云霞;田雨;趙黎廷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 沈陽鑄造研究所有限公司
• 主分類號(hào): B22D23/10
• 分類號(hào): B22D23/10
• 代理公司: 沈陽晨創(chuàng)科技專利代理有限責(zé)任公司 21001
• 代理人: 張晨

1.一種通過嵌套獨(dú)立水冷結(jié)晶器實(shí)現(xiàn)電渣熔鑄過程去除補(bǔ)貼的控制方法，其特征在于：具體步驟如下：

步驟一、根據(jù)產(chǎn)品補(bǔ)貼形狀及位置，制造可自動(dòng)調(diào)節(jié)補(bǔ)貼大小的獨(dú)立水冷結(jié)晶器；

步驟二、根據(jù)產(chǎn)品補(bǔ)貼形狀及位置，獨(dú)立水冷結(jié)晶器通過升降機(jī)構(gòu)上下調(diào)節(jié)，確定獨(dú)立水冷結(jié)晶器的工作面結(jié)構(gòu)、工作面與主體結(jié)晶器的下結(jié)晶器預(yù)留間隙d、內(nèi)部水路結(jié)構(gòu)和嵌套位置；

步驟三、主體結(jié)晶器實(shí)現(xiàn)主體熔鑄任務(wù)，獨(dú)立水冷結(jié)晶器實(shí)現(xiàn)去除補(bǔ)貼任務(wù)，二者結(jié)合完成；

所述獨(dú)立水冷結(jié)晶器水冷結(jié)構(gòu)為內(nèi)渦流式、Z字折返式或常規(guī)的水縫底返式；

通過升降機(jī)構(gòu)下端的螺紋軸帶動(dòng)獨(dú)立水冷結(jié)晶器上端的螺紋孔(13)下探獨(dú)立水冷結(jié)晶器至下結(jié)晶器中e深度，并可借助U型槽(14)及限位螺絲孔(16)，用限位螺絲將獨(dú)立水冷結(jié)晶器下探位置鎖死；

所述獨(dú)立水冷結(jié)晶器通過升降機(jī)構(gòu)保障電渣熔鑄過程獨(dú)立水冷結(jié)晶器的一部分安全插入熔渣中。

2.按照權(quán)利要求1所述通過嵌套獨(dú)立水冷結(jié)晶器實(shí)現(xiàn)電渣熔鑄過程去除補(bǔ)貼的控制方法，其特征在于：所述獨(dú)立水冷結(jié)晶器高度為120～300mm。

3.按照權(quán)利要求1所述通過嵌套獨(dú)立水冷結(jié)晶器實(shí)現(xiàn)電渣熔鑄過程去除補(bǔ)貼的控制方法，其特征在于：所述步驟二中預(yù)留間隙d為3-15mm。

4.按照權(quán)利要求1所述通過嵌套獨(dú)立水冷結(jié)晶器實(shí)現(xiàn)電渣熔鑄過程去除補(bǔ)貼的控制方法，其特征在于：所述獨(dú)立水冷結(jié)晶器的個(gè)數(shù)為1-100，每個(gè)獨(dú)立水冷結(jié)晶器配備獨(dú)立閥門與壓力表。

5.按照權(quán)利要求1所述通過嵌套獨(dú)立水冷結(jié)晶器實(shí)現(xiàn)電渣熔鑄過程去除補(bǔ)貼的控制方法，其特征在于：所述獨(dú)立水冷結(jié)晶器水冷結(jié)構(gòu)為內(nèi)渦流式，進(jìn)水管位于獨(dú)立水冷結(jié)晶器底部熱量集中的中間區(qū)域，出水管位于獨(dú)立水冷結(jié)晶器底部低熱量區(qū)域。

6.按照權(quán)利要求1所述通過嵌套獨(dú)立水冷結(jié)晶器實(shí)現(xiàn)電渣熔鑄過程去除補(bǔ)貼的控制方法，其特征在于：所述e深度為30～150mm。