[發明專利]帶透明導電膜基板及其制造設備和方法以及太陽能電池

在審

• 申請號: 201910327419.0
• 申請日: 2019-04-23
• 公開（公告）號: CN110408896A
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 松崎淳介;高橋明久
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/08;C23C14/54;C23C14/58;H01L31/18
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 崔今花;周艷玲

本發明公開帶透明導電膜基板及其制造設備和方法以及太陽能電池。該帶透明導電膜基板具備對載置于托盤的狀態下的基體進行熱處理的第三調溫裝置、以及對基體的正面側及背面側分別形成第一透明導電膜及第二透明導電膜的第一成膜裝置及第二成膜裝置。在成膜室內的第一靶附近，第一工藝氣體導入機構的氣體導出部在基體的移動方向上配設在朝向第一靶中的位于左側的靶噴射第一工藝氣體的位置上。在成膜室內的第二靶附近，配設有第二工藝氣體導入機構的氣體導出部。第一靶和第二靶配置在成膜室內，從而在基體經過第一靶的前面時通過濺射法對基體的正面側形成第一透明導電膜，在基體經過第二靶的前面時通過濺射法對基體的背面側形成第二透明導電膜。

技術領域

本發明涉及一種通過在基體的正面側和背面側配置氫含量不同的透明導電膜而成的帶透明導電膜基板的制造設備、帶透明導電膜基板的制造方法、帶透明導電膜基板及太陽能電池。

背景技術

近年來，由于具有結晶硅與非晶硅(a-Si)的異質結的太陽能電池(異質結型結晶Si太陽能電池)與以往的結晶系硅太陽能電池相比具有高轉換效率，因此受到矚目。對于異質結型結晶Si太陽能電池來說，通常在配設于結晶硅的兩面的非晶硅上形成有透明導電氧化物(TCO，Transparent Conducting Oxide)。在此，TCO為透明而通電的材料，例如可列舉氧化銦、氧化錫或氧化鋅等。

配設在太陽能電池的受光面側的TCO尤其被要求同時滿足低電阻和高透射率。作為解決該問題的一個方案，已知有將含氫透明導電膜設置于受光面側的太陽能電池(專利文獻1)。

然而，從太陽能電池設備的觀點來看，具有如下的問題：由于構成TCO的基底的非晶硅(a-Si)與含氫氣的等離子體接觸而發生H₂O，并且由于H₂O再次附著在非晶硅(a-Si)上，在非晶硅(a-Si)和堆積在該非晶硅(a-Si)上的TCO之間的界面上產生絕緣層。由于這種絕緣層的存在是阻礙層壓方向上的電氣流動的主要因素，因此亟需開發該問題的解決方案。

專利文獻1：專利國際申請公開第2013/061637號

發明內容

本發明是鑒于上述情況而提出的，其目的是提供一種通過在基體的正面側和背面側配設氫含量不同的透明導電膜而成的帶透明導電膜基板的制造設備、帶透明導電膜基板的制造方法、帶透明導電膜基板及太陽能電池。

本發明的第一方式的帶透明導電膜基板的制造設備包括具備第三調溫裝置和第一成膜裝置及第二成膜裝置的成膜室，所述第三調溫裝置對載置于托盤的狀態下的基體進行熱處理，所述第一成膜裝置及所述第二成膜裝置對所述基體的正面側及背面側分別形成第一透明導電膜及第二透明導電膜，在所述成膜室內的、構造所述第一成膜裝置且對所述基體的正面側形成第一透明導電膜的第一靶附近，用于供給含氫的第一工藝氣體的第一工藝氣體導入機構的氣體導出部在所述基體的移動方向上配設在對所述第一靶中的位于左側(上手側)的靶噴射所述第一工藝氣體的位置上，在所述成膜室內的、構造所述第二成膜裝置且對所述基體的背面側形成第二透明導電膜的第二靶附近，配設有供給不含氫的第二工藝氣體的第二工藝氣體導入機構的氣體導出部，所述第一靶和所述第二靶配置在所述成膜室內，從而在所述基體經過所述第一靶的前面時，通過濺射法對該基體的正面側形成所述第一透明導電膜，并且在所述基體經過所述第二靶的前面時，通過濺射法對該基體的背面側形成所述第二透明導電膜。

在本發明的第一方式的帶透明導電膜基板的制造設備中，也可以在所述成膜室中，以連通位于所述第一靶與所述第二靶之間的內部空間的方式，配置有一個以上的具備吸氣口的排氣裝置。