[發(fā)明專利]紫外LED器件及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910326727.1
• 申請日: 2019-04-23
• 公開（公告）號: CN110047977B
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾昭燴;劉曉燕;李祈昕;陳志濤;曾巧玉;左秉鑫;李葉林
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/22;H01L33/38
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 楊奇松

1.一種紫外LED器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供原始襯底；

基于所述原始襯底依次制作U型半導(dǎo)體層、N型氮化物半導(dǎo)體層、多量子阱層以及P型氮化物半導(dǎo)體層；

在所述P型氮化物半導(dǎo)體層背離所述多量子阱層一側(cè)制作P型金屬層，所述P型金屬層與所述P型氮化物半導(dǎo)體層形成歐姆接觸，所述P型金屬層形成反射鏡層；

基于所述P型金屬層制作金屬阻擋層將所述P型金屬層的表面和側(cè)面覆蓋；

基于所述金屬阻擋層制作金屬連接層，其中，在制作形成所述金屬阻擋層后，所述金屬連接層、金屬阻擋層以及P型金屬層將所述P型氮化物半導(dǎo)體層的表面全部覆蓋；

基于所述金屬連接層鍵合連接鍵合襯底；

去除所述原始襯底；

基于所述U型半導(dǎo)體層制作形成暴露所述N型氮化物半導(dǎo)體層的凹槽；

在所述凹槽中制作與所述N型氮化物半導(dǎo)體層連接的N型電極；

對所述U型半導(dǎo)體層的表面進行粗化，并去除所述鍵合襯底。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED器件的制備方法，其特征在于，基于所述U型半導(dǎo)體層制作形成暴露所述N型氮化物半導(dǎo)體層的凹槽的步驟包括：

刻蝕去除所述U型半導(dǎo)體層的一部分，暴露所述N型氮化物半導(dǎo)體層的表面，形成貫穿所述U型半導(dǎo)體層的凹槽，使得所述N型電極與所述N型氮化物半導(dǎo)體層的表面接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的紫外LED器件的制備方法，其特征在于，所述凹槽的深度等于所述U型半導(dǎo)體層的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED器件的制備方法，其特征在于，基于所述U型半導(dǎo)體層制作形成暴露所述N型氮化物半導(dǎo)體層的凹槽的步驟包括：

刻蝕去除所述U型半導(dǎo)體層的一部分，暴露所述N型氮化物半導(dǎo)體層的表面；

對暴露所述N型氮化物半導(dǎo)體層的表面進行進一步刻蝕，形成貫穿所述U型半導(dǎo)體層并延伸至所述N型氮化物半導(dǎo)體層內(nèi)部的凹槽，使得所述N型電極貫穿所述U型半導(dǎo)體層并延伸至所述N型氮化物半導(dǎo)體層內(nèi)部與該N型氮化物半導(dǎo)體層接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的紫外LED器件的制備方法，其特征在于，所述凹槽的深度大于所述U型半導(dǎo)體層的厚度，且小于所述U型半導(dǎo)體層和N型氮化物半導(dǎo)體層的厚度之和。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED器件的制備方法，其特征在于，所述凹槽位于所述N型氮化物半導(dǎo)體層內(nèi)深度小于或等于所述N型氮化物半導(dǎo)體層厚度的4/5。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED器件的制備方法，其特征在于，所述P型金屬層作為反射鏡層時，用于將從所述量子阱發(fā)出的光反射回去。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED器件的制備方法，其特征在于，所述基于所述金屬連接層鍵合連接鍵合襯底的步驟包括：

在所述金屬連接層的表面和所述鍵合襯底的表面分別涂覆粘合劑；

在鍵合條件下，將所述連接層和所述鍵合襯底涂覆粘合劑的表面鍵合連接。

9.一種紫外LED器件，其特征在于，該紫外LED器件采用權(quán)利要求1至8任意一項所述的制備方法制備得到。