[發明專利]一種磁過濾裝置

在審

• 申請號: 201910326052.0
• 申請日: 2019-04-22
• 公開（公告）號: CN110075995A
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: 董中林;黃釗;房景仕;丁良兵;白一峰;何文杰
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第三十八研究所
• 主分類號: B03C1/023
• 分類號: B03C1/023
• 代理公司: 合肥昊晟德專利代理事務所(普通合伙) 34153
• 代理人: 楊雪

本發明公開一種磁過濾裝置，包括束流管道、磁場線圈、四極透鏡裝置；所述磁場線圈套設于所述束流管道上，所述四極透鏡裝置對應設置于所述束流管道的端口位置，且設置于所述束流管道的外側，離子束流通過所述束流管道的端部流入并從另一端流出；本發明所述磁過濾裝置可產生偏轉磁場，在粒子傳輸過程中達到將所需的帶電粒子同大顆粒進行分離的目的。

技術領域

本發明涉及表面工程技術領域，具體涉及一種磁過濾裝置。

背景技術

陰極電弧離子鍍中的大顆粒來自于陰極弧斑在靶材表面不斷移動燃燒時產生的中性粒子團簇，這些中性粒子團簇與等離子體一同噴發出來，飛落到正在沉積生長的膜層表面形成表面顆粒污染。

大顆粒的形成主要是由于在陰極斑點處過高的功率密度，陰極弧斑點放電集中，在靶材表面形成了局部非靜態的、相當高的電流密度(可達105～108A/cm²)與非常高的局部功率密度(可達109W/cm²)，為靶材提供了一個從固態完全離化為等離子體的局部相變條件，同時使得一些液滴從表面噴射出來，形成大顆粒污染。

鑒于上述缺陷，本發明創作者經過長時間的研究和實踐終于獲得了本發明。

發明內容

為解決上述技術缺陷，本發明采用的技術方案在于，提供一種磁過濾裝置，包括束流管道、磁場線圈、四極透鏡裝置；所述磁場線圈套設于所述束流管道上，所述四極透鏡裝置對應設置于所述束流管道的端口位置，且設置于所述束流管道的外側，離子束流通過所述束流管道的端部流入并從另一端流出。

較佳的，所述磁過濾裝置還包括入口法蘭和出口法蘭，所述入口法蘭和所述出口法蘭分別設置于所述束流管道的兩端，所述入口法蘭為離子束流進入所述磁過濾裝置的入口，所述出口法蘭為離子束流的出口，所述入口法蘭和所述出口法蘭均用于連接對應設備。

較佳的，所述四極透鏡裝置對應所述出口法蘭設置。

較佳的，所述束流管道設置為彎管或直管。

較佳的，所述束流管道采用金屬或非金屬材料。

較佳的，所述磁場線圈由中空導線繞制而成，所述中空導線內部通入冷媒。

較佳的，所述中空導線的截面形狀設置為圓形、方形或橢圓形中的一種。

較佳的，所述四極透鏡裝置由四塊電磁極構成，環形均布于所述過濾管道出口端外部。

與現有技術比較本發明的有益效果在于：本發明所述磁過濾裝置可產生偏轉磁場，在粒子傳輸過程中達到將所需的帶電粒子同大顆粒進行分離的目的。

附圖說明

圖1為本發明所述磁控濺射設備的結構示意圖；

圖2為所述束流管道常見形狀圖；

圖3為所述導線線圈截面常見形狀圖。

圖中數字表示：

1-入口法蘭；2-束流管道；3-磁場線圈；4-四極透鏡裝置；5-出口法蘭。

具體實施方式

以下結合附圖，對本發明上述的和另外的技術特征和優點作更詳細的說明。

如圖1所示，圖1為本發明所述磁過濾裝置的結構示意圖；本發明所述磁過濾裝置包括入口法蘭1、束流管道2、磁場線圈3、四極透鏡裝置4、出口法蘭5；所述入口法蘭1和所述出口法蘭5分別設置于所述束流管道2的兩端，所述磁場線圈3套設于所述束流管道2上，所述四極透鏡裝置4對應設置于所述出口法蘭5的位置，且設置于所述束流管道2的外側。