[發(fā)明專利]一種基于過程參數(shù)免疫時(shí)間的電壓暫降緩減方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910325901.0 | 申請日: | 2019-04-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109950910B | 公開(公告)日: | 2022-06-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張逸;李為明;張嫣;邵振國;王建勛 | 申請(專利權(quán))人: | 福州大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G06Q10/06 | 分類號(hào): | G06Q10/06;H02J3/12;H02J3/00 |
| 代理公司: | 福州元?jiǎng)?chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡學(xué)俊 |
| 地址: | 350108 福建省福州市閩*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 過程 參數(shù) 免疫 時(shí)間 電壓 暫降緩減 方法 | ||
1.一種基于過程參數(shù)免疫時(shí)間的電壓暫降緩減方法,其特征在于:包括以下步驟:
步驟S1:識(shí)別治理對(duì)象的敏感過程類別;若是電氣敏感型過程,則進(jìn)入步驟S2,若是參數(shù)感應(yīng)型過程,則進(jìn)入步驟S3;
步驟S2:對(duì)于電氣敏感型過程,采用電氣類治理手段;確定補(bǔ)償容量,計(jì)算定制電力設(shè)備投資CI;
步驟S3:對(duì)于參數(shù)感應(yīng)型過程,綜合運(yùn)用電氣類與物理類治理手段;先采用電壓補(bǔ)償后判斷是否有進(jìn)行廠務(wù)改造,最后計(jì)算電氣與物理治理總投資CII;
步驟S4:計(jì)算兩類過程治理總投資C=CI+CII;
步驟S2中,設(shè)第i臺(tái)補(bǔ)償設(shè)備的購置成本為:其中Si為第i臺(tái)設(shè)備的容量,是總補(bǔ)償容量S對(duì)應(yīng)的單位容量的市場價(jià)格;總補(bǔ)償容量S越大,單位成本越高;計(jì)算電氣敏感型過程的定制電力設(shè)備投資其中ND是定制電力設(shè)備臺(tái)數(shù);
步驟S3具體包括以下步驟:
步驟S31:根據(jù)電氣敏感設(shè)備容量確定最小補(bǔ)償容量,計(jì)算電氣敏感型過程的定制電力設(shè)備投資Cele;其中Cele的計(jì)算采用步驟S2中計(jì)算定制電力設(shè)備投資CI的原理;
步驟S32:計(jì)算原始過程參數(shù)免疫時(shí)間TPI0,設(shè)備最快重啟時(shí)間Tres由設(shè)備重啟性能決定,電壓補(bǔ)償?shù)淖畲髸r(shí)間為Td,若Tres<TPI0+Td,則無需進(jìn)行廠務(wù)改造,進(jìn)入步驟S34;若Tres>TPI0+Td,即改造后的設(shè)備重啟時(shí)間仍長于過程免疫時(shí)間,則進(jìn)行廠務(wù)改造,進(jìn)入步驟S33;
步驟S33:計(jì)算過程不中斷所需最小耗散系數(shù)a,計(jì)算廠務(wù)改造投資;其中,第j個(gè)過程廠務(wù)設(shè)施改造成本為:其中Aj為第j個(gè)過程改造規(guī)模,是過程不中斷所需最小耗散系數(shù)a對(duì)應(yīng)的單位市場價(jià)格,改造所用材料的物理屬性越好,單位成本越高;計(jì)算物理治理總投資其中Np是需要廠務(wù)改造的過程數(shù)量;
步驟S34:計(jì)算參數(shù)感應(yīng)型過程治理投資
步驟S33中,過程不中斷所需最小耗散系數(shù)a的計(jì)算采用以下步驟:
步驟S331:令過程參數(shù)為p(t),在t=t0時(shí)過程參數(shù)為p0,環(huán)境參數(shù)為pE,過程參數(shù)的變化速率滿足下式:
式中,a為過程不中斷所需最小耗散系數(shù),反映過程參數(shù)對(duì)外界環(huán)境的抵御能力;a越大,則過程參數(shù)變化越快;t表示時(shí)刻,電壓暫降時(shí)刻為t0;解該微分方程得:
利用式(2)得過程參數(shù)的變化規(guī)律,并通過式(2)得到:
步驟S332:利用式(2)與式(3)預(yù)測過程參數(shù)免疫時(shí)間;
步驟S333:計(jì)算過程不中斷所需最小耗散系數(shù)a,即改造材料具備的最小物理屬性;
步驟S332具體為:監(jiān)測到電壓暫降時(shí)刻為t0,此時(shí)過程參數(shù)為pnorm,經(jīng)一段時(shí)間后,t1時(shí)刻的過程參數(shù)變?yōu)閜1;代入式(3)得:
解得該過程的原始耗散系數(shù)a0,再代入式(2)得:
式中,plim為過程參數(shù)允許限值;通過式(5)解得t2,進(jìn)而得到原始過程參數(shù)免疫時(shí)間TPI0=t2-t0。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于過程參數(shù)免疫時(shí)間的電壓暫降緩減方法,其特征在于:步驟S333具體為:設(shè)備失效時(shí)刻為ttrip,設(shè)備重啟時(shí)刻為tres,在此之前過程參數(shù)保持不越限,過程參數(shù)的最低允許限值為plim,代入式(3)得:
通過上式求得過程不中斷所需最小耗散系數(shù)a,即改造材料具備的最小物理屬性。
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