[發明專利]一種基于負阻控制的憶阻器有效
| 申請號： | 201910325845.0 | 申請日： | 2019-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN110069857B | 公開（公告）日： | 2023-04-18 |
| 發明（設計）人： | 林彌;吳巧;李路平;汪蘭葉 | 申請（專利權）人： | 杭州電子科技大學 |
| 主分類號： | G06F30/367 | 分類號： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律師事務所 33233 | 代理人： | 陸永強 |
| 地址： | 310018*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 控制 憶阻器 | ||
1.一種基于負阻控制的憶阻器，其特征在于，該憶阻器至少包括第一負阻單元U1、第二負阻單元U2和推挽式結構U3，其中，所述第一負阻單元U1和第二負阻單元U2用于產生關于原點對稱的滯回曲線，所述推挽式結構U3用于實現憶阻器輸出特性曲線并使其在原點處憶導值不為0；
所述的第一負阻單元U1包括第二電阻R2和一個NPN型R-HBT-NDR網絡，第二電阻R2一端連接第一晶體管Q1發射極，另一端連接NPN型R-HBT-NDR網絡，NPN型R-HBT-NDR網絡另一端接地；其中，NPN型R-HBT-NDR網絡由第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、第一滑動變阻器Rp1和第三晶體管Q3、第四晶體管Q4組成；第三電阻R3一端與第二電阻R2連接，第三電阻R3另一端連接第五電阻R5和第三晶體管Q3的基極；第一滑動變阻器Rp1一端與第二電阻R2連接，第一滑動變阻器Rp1另一端連接第三晶體管Q3的集電極和第四晶體管Q4的基極；第四電阻R4一端與第二電阻R2連接，第四電阻R4另一端連接第四晶體管Q4的集電極；第五電阻R5的另一端、第三晶體管Q3的發射極以及第四晶體管Q4的發射極接地；
所述的第二負阻單元U2包括第七電阻R7和一個PNP型R-HBT-NDR網絡；第七電阻R7一端連接第二晶體管Q2發射極，另一端連接PNP型R-HBT-NDR網絡，PNP型R-HBT-NDR網絡另一端接地；其中PNP型R-HBT-NDR網絡由第八電阻R8、第九電阻R9、第十電阻R10、第二滑動變阻器Rp2和第五晶體管Q5、第六晶體管Q6組成；第八電阻R8一端與第七電阻R7連接，第八電阻R8另一端連接第十電阻R10和第五晶體管Q5的基極；第二滑動變阻器Rp2一端與第七電阻R7連接，第二滑動變阻器Rp2另一端連接第五晶體管Q5的集電極和第六晶體管Q6的基極；第九電阻R9一端與第七電阻R7連接，第九電阻R9另一端連接第六晶體管Q6的集電極；第十電阻R10的另一端、第五晶體管Q5的發射極以及第六晶體管Q6的發射極接地；
所述的推挽式結構U3包括型號為D1N40007的第一二極管D1、第二二極管D2，第一電阻R1、第六電阻R6以及第一直流電壓源V1、第二直流電壓源V2；第一二極管D1負端連接輸入信號VS，第一二極管D1正端連接第一電阻R1和第一晶體管Q1的基極；第一電阻R1另一端連接第一直流電壓源V1正端和第一晶體管Q1的集電極，第一直流電壓源V1負端接地；第二二極管D2正端連接輸入信號VS，第二二極管D2負端連接第六電阻R6和第二晶體管Q2的基極，第六電阻R6另一端連接第二直流電壓源V2正端，第二直流電壓源V2負端接地。
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